光刻技術(shù)可利用可見光(Vi⒍ble)、近紫外光(Ncar Ukra Volet,NUV)、中紫外光(Mid UV,MUV)、深紫外光(Deep UV,DUV)、真空紫光外光(Vactttlm UV,VUV)、極紫外光(Extremc UV,EUV)、Ⅺ光(ⅪRay)等光源對光刻膠進(jìn)行照射;或者用高能電子束(25~100keV)、 SDCL1005C18NJTF低能電子束(約100eV)、鎵離子(Ga亠)聚焦離子束(10~100keV)對光刻膠進(jìn)行照射。各光源的相關(guān)波長范圍如圖10△7所示。

   圖1017 光學(xué)相關(guān)波長范圍參考圖

   紫外(UV)光源和深紫外(DUV)光源是目前工業(yè)上普遍應(yīng)用的曝光光源。以UV和DUV光源發(fā)展起來的曝光方法主要有接觸式曝光、接近式曝光和投影式曝光,如圖1018所示。