納米壓印光刻技術(shù)實質(zhì)上是將傳統(tǒng)的模具復(fù)型原理應(yīng)用到微觀制造領(lǐng)域中。NⅡ'圖形的轉(zhuǎn)移是通過模具下壓導(dǎo)致抗蝕劑流動并填充到模具表面特征圖形中的,H27UBG8T2ATR-BC隨后增大模具下壓載荷致使抗蝕劑減薄,在抗蝕劑減薄過程中下壓載荷恒定;當(dāng)抗蝕劑減薄到后續(xù)工藝允許范圍內(nèi)(設(shè)定的留膜厚度)停止模具下壓并固化抗蝕劑。與傳統(tǒng)光刻工藝相比,它不是通過改變抗蝕劑的化學(xué)特性而實現(xiàn)抗蝕劑的圖形化的,而是通過抗蝕劑的受力變形實現(xiàn)其圖形化的。

   壓印光刻技術(shù)按照壓印面積可分為步進(jìn)式壓印(Step Impol△t uth。graplly,⒏L)和整片壓印;按照壓印過程中是否需要加熱抗蝕劑可以分為熱壓印光刻和常溫壓印光刻(U平N⒒);按照壓印模具的硬度的大小可以分為軟壓印光刻和硬壓印光刻�，F(xiàn)有的主流NL工藝的原理如圖10記6所示。

    盡管NIL從原理上回避了昂貴的投影鏡組和光學(xué)系統(tǒng)固有的物理限制,但因其屬于接觸式圖形轉(zhuǎn)移過程,又衍生了許多新的技術(shù)問題。其中1:1壓印模具的制作、套印精度、模具的使用壽命、生 產(chǎn)率和缺陷控制等認(rèn)為是當(dāng)前最大的技術(shù)挑戰(zhàn)。

   經(jīng)過大約10年的開發(fā)、研究和調(diào)查,2004年下半年NII'最終被《國際半導(dǎo)體技術(shù)藍(lán)圖》收錄,成為32nm后光刻技術(shù)時代的候選技術(shù)之一。但現(xiàn)在還很難說NIL是否能夠真正用于IC的大批量生產(chǎn),它日前需要解決的一個重大難題就是如何降低缺陷密度。