2001年4月,EUV`有限責(zé)任公司(EUV LLC)推出了第一臺(tái)全尺寸EUV深度紫外線光刻機(jī)原型。EUV LLC是由一些全球領(lǐng)先的芯片制造商和3個(gè)美國(guó)能源部研究實(shí)驗(yàn)室組成的聯(lián)盟。 H5007T成員包括英特爾、AMD、IBM、Micron、Infeneon和摩托羅拉。

    EUV的工作原理圖如圖10-27所示,具體原理如下。

   ①激光對(duì)準(zhǔn)氙氣噴嘴。當(dāng)激光擊中氙氣時(shí),會(huì)使氙氣變熱并產(chǎn)生等離子體。

   ②一旦產(chǎn)生等離子體,電子便開(kāi)始逃逸,從而發(fā)出波長(zhǎng)為13nm的光,由于波長(zhǎng)太短,人眼看不到這種光。

   ③接著這種光進(jìn)人聚光器,然后后者將光會(huì)聚并照到掩膜上。

   ④通過(guò)在反射鏡的一些部分施加而其他部分不施加吸收體,在反射鏡上形成芯片一個(gè)平面的圖案的光學(xué)表示,這樣就產(chǎn)生了掩膜的效果。

   ⑤掩膜上的圖案被反射到4~6個(gè)曲面反射鏡上,從而將圖像微縮,并將圖像聚投到硅襯底上。每個(gè)反射鏡使光線稍微彎曲以形成將刻到襯底上的圖像,這就像照相機(jī)中的透鏡將光彎曲以在膠片上形成圖像一樣。

   整個(gè)工藝必須在真空中進(jìn)行,原因在于這些光的波長(zhǎng)太短,甚至空氣都會(huì)將它們吸收殆盡。此外,EUV使用涂有多層鉬和硅的凹面鏡和凸面鏡――這種涂層可以反射將近70%的波長(zhǎng)為13.4nn1的極紫外線光,其他30%被反射鏡吸收。如果沒(méi)有涂層,光在到達(dá)襯底之幾乎就會(huì)被完全吸收。鏡面必須近乎完美,即使涂層中的小缺陷也會(huì)破壞光學(xué)形狀并扭曲刻蝕電路圖案,從而導(dǎo)致芯片功能出現(xiàn)問(wèn)題。

   極紫外光刻用波長(zhǎng)為10~14nm的極紫外光作為光源。雖然該技術(shù)最初稱(chēng)為軟X射線光刻,但實(shí)際上更類(lèi)似于光學(xué)光刻。

   ⒛12年,荷蘭ASML公司推出第一個(gè)基于極紫外光刻(EUVI')平臺(tái)商用的量產(chǎn)機(jī)型TWi“∞nNXE:3300B,采用13.5nm的極紫外光作為光源,使用傳統(tǒng)照明分辨率可達(dá)22nm,使用離軸照明技術(shù)更可達(dá)18nm,其單臺(tái)售介高達(dá)1.05億美元。