最常見的干法刻蝕設備是使用平行板電極的反應器。早期的桶式刻蝕設各,則是將電OPA4705EA極加在腔外,適合應用于等向性的刻蝕,如光刻膠的去除。為了提高等離子體的濃度,在反應離子刻蝕機(R⒍ac鈿e Ion Etcher,RIE)中,加上磁場而成為磁場強化活性離子刻蝕機(Magneoc Enhanccd ReactheIon Etc・llel,MERIE)。另外,還有一部分刻蝕機改變激發(fā)等離子體的方式,并在低壓下操作,這類刻蝕機稱為高密度等離子體刻蝕機。它具有高等離子體密度和低離子轟擊損傷等優(yōu)點,已成為設各開發(fā)研究的熱點,典型的設各有電子回旋共振式等離子體刻蝕機(Elcctron Cyclotron R郵011ance PhsmaEtchers,ECRPE)、變壓耦合式等離子體刻蝕機(TraⅡformer C°up憶d Plasma,TCP)、感應耦合等離子體刻蝕機(Ind∝u次圩Coupkd Phsma RcactcDr,rPR)和螺旋波等離子體刻蝕機。在本節(jié)中介紹現(xiàn)今較為常用的刻蝕設備。

   RIE包含了一個高真空的反應腔,壓力范圍通常在1~1oO Pa,腔內(nèi)有兩個平行板狀的電極。是RIE設各示意圖,其中,一個電極與反應器的腔壁一起接地,另一個電極與晶片夾具接在RF產(chǎn)生器上(常用頻率為13,56MHz)。當接通RF電源時,等離子體電位通常高于接地端。因此,即使將晶片放置于接地的電極上,也會受到離子的轟擊,但此離子能量(0~100eV)遠小于將晶片放置于接RF端的電極時的能量(100~1000eV)。