MERIE是在傳統(tǒng)的RIE中加上永久磁鐵或線圈,產(chǎn)生與晶片平行的磁場,此磁場與電場垂直。 ICE2A765P2電子在該磁場作用下將以螺旋方式運(yùn)動(dòng),如此一來,可避免電子與腔壁發(fā)生碰撞,同時(shí)增加電子與分子碰撞的機(jī)會(huì)并產(chǎn)生較高密度的等離子體。然而,因?yàn)榇艌龅拇嬖?將使離子與電子的偏折方向不同而分離,造成不均勻性及天線效應(yīng)的產(chǎn)生,所以磁場常設(shè)計(jì)為旋轉(zhuǎn)磁場�！Β蛴馡E的操作壓力與RIE相似,在1~100Pa之間,所以也不適合用于小于0.5Iull以下線寬的刻蝕。

   電子回旋共振式等離子體刻蝕機(jī)(ECR)ECR是利用微波及外加磁場來產(chǎn)生高密度等離子體的。當(dāng)頻率ωc等于所加的微波頻率時(shí),外加電場與電子能量發(fā)生共振耦合,因而產(chǎn)生很高的離子化程度(可大于1%,RIE約為106)。較常使用的微波頻率為2,娟GHz,所需的磁場應(yīng)為O.0875T。ECR的結(jié)構(gòu)如圖117所示,微波由微波導(dǎo)管穿過由石英或A1203制成的窗口進(jìn)入等離子體產(chǎn)生腔中,另外磁場隨著與磁場線圈距離的增大而縮小。電子便隨著變化的磁場向晶片運(yùn)動(dòng),正離子則是靠濃度梯度向晶片擴(kuò)散的。通常在晶片上也會(huì)施加一個(gè)RF或直流偏壓用來加速離子,提供離子撞擊晶片的能量,借此達(dá)到非等向性刻蝕的效果。

   ECR最大的限制在于其所能使用的面積。因?yàn)榧ぐl(fā)等離子體的頻率為2.45GHz,波長只有10cnl=右,因此有效的晶片直徑大約為6英寸。