超大規(guī)模集成電路的制備經(jīng)過多次光刻、氧化等工藝,使得硅片表面不平整,臺階高,這樣在進(jìn)PAM2305AAB120行電連接時,臺階處的金屬薄膜連線易斷裂,且光刻難。需要通過平面化技術(shù)來解決這一問題。平面化技術(shù)目前主要有:雙層光刻膠技術(shù);PSG、BPsG回流;化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)。

    導(dǎo)電層間的絕緣介質(zhì)的平坦化目前主要采用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)技術(shù)。這是一種通過使用軟膏狀的化學(xué)研磨劑在機(jī)械研磨的同時伴有化學(xué)反應(yīng)的拋光平坦化方法,如圖127所示為CMP方法示意圖。CMP技術(shù)的關(guān)鍵是研磨劑組成成分,硅片表面平坦化物質(zhì)不同采用的研磨劑成分就不同。研磨劑主要由氧化劑和摩擦劑組成,磨料中包含摩擦劑顆粒的硬度與所磨蝕材料基本相同;磨料化學(xué)成分及其酸堿度,摩擦劑顆粒尺寸、形狀、濃度等亦都是重要參數(shù)。CMP主要應(yīng)用于多層互連工藝。