超大規(guī)模集成電路的制備經(jīng)過多次光刻、氧化等工藝,使得硅片表面不平整,臺階高,這樣在進PAM2305AAB120行電連接時,臺階處的金屬薄膜連線易斷裂,且光刻難。需要通過平面化技術(shù)來解決這一問題。平面化技術(shù)目前主要有:雙層光刻膠技術(shù);PSG、BPsG回流;化學機械拋光(CMP)。

    導電層間的絕緣介質(zhì)的平坦化目前主要采用化學機械拋光(CMP)技術(shù)。這是一種通過使用軟膏狀的化學研磨劑在機械研磨的同時伴有化學反應(yīng)的拋光平坦化方法,如圖127所示為CMP方法示意圖。CMP技術(shù)的關(guān)鍵是研磨劑組成成分,硅片表面平坦化物質(zhì)不同采用的研磨劑成分就不同。研磨劑主要由氧化劑和摩擦劑組成,磨料中包含摩擦劑顆粒的硬度與所磨蝕材料基本相同;磨料化學成分及其酸堿度,摩擦劑顆粒尺寸、形狀、濃度等亦都是重要參數(shù)。CMP主要應(yīng)用于多層互連工藝。