銅多層互連系統(tǒng)工藝流程
發(fā)布時間:2017/5/30 12:04:24 訪問次數(shù):559
銅多層互連系統(tǒng)是在集成電路技術進入0,18um時出現(xiàn)并發(fā)展起來的互連技術,目前已成為UI'SI最主要的互連系統(tǒng)。在以銅為互連導電層的鑲嵌工藝,PAM2305AABADJ叉稱為雙大馬士革(Dud Damascel△e)I藝。為鑲嵌式銅多層互連系統(tǒng)的其中某一層的工藝流程。
鑲嵌式銅多層互連工藝為:
①在前層的互連層平面上淀積刻蝕停止層,如PECVlD一弘N1;
②淀積厚的絕緣介質(zhì)層,如APCVD sO2或低Κ介質(zhì)材料;
③光刻引線孔;
④以光刻膠作為掩膜刻蝕引線溝槽并去膠,如干法刻蝕⒏02再去膠;
⑤光刻通孔;
⑥以光刻膠作為掩膜刻蝕通孔并去膠,如干法刻蝕sO2再去J皎;
⑦去刻蝕停止層,采用高選擇比的刻蝕方法,通孔刻蝕過程將在停止層自動停止;
銅多層互連系統(tǒng)是在集成電路技術進入0,18um時出現(xiàn)并發(fā)展起來的互連技術,目前已成為UI'SI最主要的互連系統(tǒng)。在以銅為互連導電層的鑲嵌工藝,PAM2305AABADJ叉稱為雙大馬士革(Dud Damascel△e)I藝。為鑲嵌式銅多層互連系統(tǒng)的其中某一層的工藝流程。
鑲嵌式銅多層互連工藝為:
①在前層的互連層平面上淀積刻蝕停止層,如PECVlD一弘N1;
②淀積厚的絕緣介質(zhì)層,如APCVD sO2或低Κ介質(zhì)材料;
③光刻引線孔;
④以光刻膠作為掩膜刻蝕引線溝槽并去膠,如干法刻蝕⒏02再去膠;
⑤光刻通孔;
⑥以光刻膠作為掩膜刻蝕通孔并去膠,如干法刻蝕sO2再去J皎;
⑦去刻蝕停止層,采用高選擇比的刻蝕方法,通孔刻蝕過程將在停止層自動停止;
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