1980年出現(xiàn)了帶側(cè)墻的漏端輕摻雜結(jié)構(gòu)(LlghtˇDoping Dr“n,I'DD),以降低短溝MOSFET的熱載流子效應(yīng)。1982年出現(xiàn)了自對(duì)準(zhǔn)硅化物(Sdodcd)技術(shù),降低了源漏接觸區(qū)的接觸電阻。同年還出現(xiàn)了淺槽隔離(STI)技術(shù), PAM2305CGFADJTR提高了集成電路的集成度。1983年出現(xiàn)了氮化二氧化硅柵介質(zhì)材料,利用這種柵介質(zhì)材料替代純二氧化硅,能夠改善器件的可靠性。1985年出現(xiàn)了暈環(huán)(Hdo)技術(shù),該技術(shù)目前廣泛應(yīng)用于超深亞微米MOS技術(shù)中,成為溝道I程的重要組成部分。同時(shí)出現(xiàn)了雙摻雜多晶硅柵CMOS結(jié)構(gòu),即在CMOS器件中nMOs采用lli多晶硅柵、pM(B采用盯多晶硅柵。而在這之前CMOS中的nM(E和pMOS均采用單一的n+多晶硅柵。1987年IBM研制成功了0.1。Ln1MOSFET,標(biāo)志著當(dāng)代超深亞微米MC)S技術(shù)的基本成熟。同年htd在386CPU中引入了1・2um CMOS技術(shù),至此之后,CMOS技術(shù)占據(jù)了集成電路中的統(tǒng)治地位。20世紀(jì)90年代以后還出現(xiàn)了化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)、大馬士革鑲嵌I藝(Dam灬ce∝)和銅互連技術(shù),使當(dāng)代CMOS工藝技術(shù)又前進(jìn)了一大步。CM(B集成電路的發(fā)展基本遵循“摩爾定律”,即每18個(gè)月集成度增加1倍、器件特征尺寸縮姬焦,性能價(jià)格比增加1倍。