后光刻形成氧化物側(cè)墻,進(jìn)行源、漏區(qū)注人以形成pll結(jié)。②P`①制各50~100nm的Tl薄膜。③在氮?dú)夥罩?00~600℃的溫度下退火,金屬Tl與硅或多晶硅接觸的地方發(fā)生反應(yīng)形成金屬硅化物△軋,而在金屬與非硅的接觸區(qū)域則不會(huì)發(fā)生反應(yīng)。PAM3101AAA280氮?dú)鈹U(kuò)散進(jìn)入Ti并與之發(fā)生反應(yīng),能夠在氧化層上形成穩(wěn)定的TlN層,該層常用于作為擴(kuò)散阻擋層。

    當(dāng)器件特征尺寸降到超深亞微米時(shí),由于多晶硅柵線寬的進(jìn)一步減小和源/漏結(jié)進(jìn)一步變淺,加上多晶硅柵的耗盡效應(yīng)和硅溝道表面層的量子效應(yīng),即使是自對(duì)準(zhǔn)硅化物的多晶硅柵電極也不再滿(mǎn)足要求,囚此難熔金屬柵電極應(yīng)運(yùn)而生。它的采用不僅極大降低了多晶硅柵的電阻,而且徹底消除了多晶硅柵的耗盡效應(yīng)(多晶硅柵已不存在)和硼穿透效應(yīng)。已出現(xiàn)的金屬柵有Ⅵ1/Κ柵介質(zhì)的組合結(jié)構(gòu)將會(huì)是下一代CMCB集成電路的首選。