nMOS LDD的形成

   光刻形成掩膜nMOs;I'DD注人P十離子。

    pM(B LDD的形成PAM3101DAB280

   光刻形成掩膜pMC)S;I'DD注入B+離子。

   形成側(cè)墻

   去膠;熱氧化多晶硅形成側(cè)墻。

   n・源漏形成

   光刻形成nM(B源漏擴展區(qū)窗口,及Halo窗口;注人「離子,形成nM(B的源漏擴展區(qū),和pMt)S的暈圈反型雜質(zhì)摻雜結(jié)構(gòu)(Hal。區(qū))。

    P源漏形成

   去膠”色刻形成pM(DS源漏擴展區(qū)窗口,及Halo窗口;注入B+離子,形成pM(B的源漏擴展區(qū),和nM(E的暈圈反型雜質(zhì)摻雜結(jié)構(gòu)(Hab區(qū))。

   硅化物形成

   去膠;磁控濺射Ti(或Co);在氮氣氛下退火形成ˉrl孰硅化物(或CoS辶)。

   形成川引線

   在12.1.3節(jié)介紹的川(SiO2)多層互連工藝,層數(shù)由設(shè)計確定。

   鈍化

   采用PECVD制備S13N亻芯片最后的鈍化層,刻蝕壓焊孔。芯片工藝完成之后,進行后工序的封裝和測試:劃片→分選→裝片→壓焊艸封裝→測試→篩選→老化。