柵極鏈測試結(jié)構(gòu)

   專門用于測定MOS器件柵氧化層缺陷的測試結(jié)構(gòu),氧化層是否存在缺陷,可以由多晶硅柵極對襯底、PAM3101DAB330源極和漏極是否存在一定量的漏電流來確定。

   MOS晶體管陣列測試結(jié)構(gòu)

   由柵漏相連的100個M飛晶體管組成一個陣列,通過引出的檢測'點可任意選測一個晶體管。如果這樣的陣列布滿整個硅片,則可確定失效的位置和密度分布,再配合適當?shù)溺R檢,還可以判定缺陷的性質(zhì)。

   可選址CMOS反相器陣列測試結(jié)構(gòu)

   包含多個反相器,所有反相器均由測試點IN弘IN提供輸人信號,傳輸門的控制信號由陣列左側(cè)的移位寄存器提供,相當于平行譯碼,每一列傳輸門的輸出連在一起,由一個測試點INⅥOUT引出。采用一個2×10的標準探針陣列,就可以選測任何一個電路單元。

   環(huán)形振蕩器

   由奇數(shù)個結(jié)構(gòu)相同的反相器構(gòu)成,它們串接在一起,最后一級的輸出接到第一級的輸人,構(gòu)成振蕩電路。好處是:解決了直接測量單級門的延遲的困難;對于驗證一個新的設計規(guī)則、工藝結(jié)構(gòu)和器件性能是一種簡便易行的方法。