柵極鏈測試結(jié)構(gòu)

   專門用于測定MOS器件柵氧化層缺陷的測試結(jié)構(gòu),氧化層是否存在缺陷,可以由多晶硅柵極對襯底、PAM3101DAB330源極和漏極是否存在一定量的漏電流來確定。

   MOS晶體管陣列測試結(jié)構(gòu)

   由柵漏相連的100個(gè)M飛晶體管組成一個(gè)陣列,通過引出的檢測'點(diǎn)可任意選測一個(gè)晶體管。如果這樣的陣列布滿整個(gè)硅片,則可確定失效的位置和密度分布,再配合適當(dāng)?shù)溺R檢,還可以判定缺陷的性質(zhì)。

   可選址CMOS反相器陣列測試結(jié)構(gòu)

   包含多個(gè)反相器,所有反相器均由測試點(diǎn)IN弘IN提供輸人信號(hào),傳輸門的控制信號(hào)由陣列左側(cè)的移位寄存器提供,相當(dāng)于平行譯碼,每一列傳輸門的輸出連在一起,由一個(gè)測試點(diǎn)INⅥOUT引出。采用一個(gè)2×10的標(biāo)準(zhǔn)探針陣列,就可以選測任何一個(gè)電路單元。

   環(huán)形振蕩器

   由奇數(shù)個(gè)結(jié)構(gòu)相同的反相器構(gòu)成,它們串接在一起,最后一級的輸出接到第一級的輸人,構(gòu)成振蕩電路。好處是:解決了直接測量單級門的延遲的困難;對于驗(yàn)證一個(gè)新的設(shè)計(jì)規(guī)則、工藝結(jié)構(gòu)和器件性能是一種簡便易行的方法。