(1)爐溫為975℃恒溫,將磷主擴(kuò)散后的硅片(正片)推入恒溫區(qū)氧化。時(shí)問(wèn)為5min干氧→25min濕氧910min干氧。

   (2)三氧時(shí)間一到,將石英FGA40N65SMD舟勻速緩慢地拖至爐口;停爐,停氣。

    思考題

   (1)兩步磷擴(kuò)散I藝的主擴(kuò)散溫度高,時(shí)間較長(zhǎng);而三氧溫度低,時(shí)間較短,這與硼擴(kuò)散I藝相反,為什么?

   (2)雙極型晶體管的發(fā)射區(qū)若采取離子注人方法實(shí)現(xiàn),請(qǐng)?jiān)O(shè)計(jì)注人方法,通過(guò)計(jì)算機(jī)模擬確定工藝參數(shù)。

   (3)磷擴(kuò)散易發(fā)生哪些異�，F(xiàn)象?是什么原因引起的?

   (4)晶體管出現(xiàn)`值偏小或偏大的l・l能原囚有哪些?可從哪些方面著手解決?

   (5)如何判斷磷擴(kuò)散將基區(qū)擴(kuò)穿?

   光刻引線孔

   光刻引線孔已是第三次光刻了,目的是去掉基區(qū)和發(fā)射區(qū)與內(nèi)電極相連部位的氧化層。光刻方法與二次光刻相同,注意對(duì)版準(zhǔn)確。光刻引線孔掩蔽膜圖形如圖A-8所示。

    思考題

   (1)二次光刻與前兩次光刻有什么不同?