經(jīng)過基區(qū)擴(kuò)散和發(fā)射區(qū)擴(kuò)散形成了lli pn型晶體管的管Jb,在基區(qū)和發(fā)射區(qū)窗口制各能形成歐姆接觸的內(nèi)電極,發(fā)射極n+si摻雜濃度可達(dá)102。atom√cm3,而Al與⒈⒊接觸時,當(dāng)摻雜濃度高于5×10”atoms/cm3時,就可形成歐姆接觸,所以,對于llpn型晶體管發(fā)射極來說可以形成歐姆接觸。而Al本身就是p型雜質(zhì),與阝⒊的接觸是歐姆接觸,所以,Al與基極也形成了歐姆接觸。淀積鋁膜可采取真空蒸鍍或?yàn)R射工藝。FGA50T65SHD在此,采用真空蒸鍍工藝。

   工藝設(shè)備與工藝條件

   工藝設(shè)各與材料:真空蒸鍍機(jī),鎢絲加熱器,鋁/硅膜厚測量儀;純度在5N以上的鋁絲。

    工藝條件:真空室的真空度控制在103toⅡ以上,襯底溫度約140℃,蒸發(fā)功率為10kW,控制鋁膜厚度在0.8~1.2um之間。

   具體操作方法

   (1)鋁源清洗:采用甲苯、丙酮、無水乙醇各超聲波清洗5min,再用磷酸漂去表面氧化層,取出后用無水乙醇脫水,將其浸泡在無水乙醇中備用。

   (2)真空鍍鋁前,清洗三次光刻后的硅片(方法同前),在電爐上烘干備用。

   (3)如果光刻后的硅片放置時間較長,可用氫氟酸(HF:H20=1△0)溶液漂去引線孔自然生長的氧化膜,再用超純水清洗十凈。注意:漂過的引線孔在烘干時如果溫度過高,時間過長,百1再次生長出較厚的本征氧化膜。

   (4)打開蒸鍍機(jī)的真空室,將硅片架在襯底支架上,再將約1g的鋁絲在加熱器上掛好,放下真空罩,開始抽真空。

   (5)當(dāng)真空度達(dá)10ˉtorr時,加熱烘烤硅片,約140℃時停止烘烤,開加熱器,數(shù)秒后打開擋板鍍鋁,當(dāng)加熱器上鋁將要蒸發(fā)完時關(guān)斷擋板,停止加熱

   (6）真空室溫度降至室溫后才可取出硅片,關(guān)機(jī)。

   (7)用鋁/硅膜厚測量儀測量鋁膜厚度。