sUPREM-I發(fā)表于1977年,1978年發(fā)表了sUPREM-Ⅱ。I和Ⅱ版本只能用于分析硅和工氧化硅中一維雜質(zhì)分布;1983年推出SUPREM―Ⅲ,它是上兩個(gè)版本的擴(kuò)充,盡管也只能分析一維結(jié)構(gòu),但與SUPREM―Ⅱ相比,有了很大的改進(jìn);隨后又推出了SUPREM R系列改進(jìn)版本。FGH40T100SMD_F155

   sUPREM-Ⅳ是斯坦福大學(xué)開發(fā)的二維I藝模擬軟件SU盯CM刂的商用改進(jìn)版,它是用ΓHE、中最重要的組成部分。SSUPREM―Ⅳ是世界上公認(rèn)的最先進(jìn)的集成電路工藝模擬軟件之一。通過(guò)sSUPREM-Ⅳ對(duì)實(shí)際工藝的模擬,可以預(yù)知工藝結(jié)果.減少實(shí)驗(yàn)次數(shù):應(yīng)用結(jié)果對(duì)有關(guān)軟件的開發(fā)者、使用者及有興趣的科技人員有較大的參考價(jià)值。

   TsUPREM-Ⅳ是當(dāng)前集成電路工藝仿真sUPREM系列的最高皈本。版本升級(jí)的主要標(biāo)志有以下幾點(diǎn):模擬的維數(shù)由一維二層結(jié)構(gòu)、一維多層結(jié)構(gòu)至二維多層結(jié)構(gòu);可模擬的效應(yīng)由一級(jí)效應(yīng)、二級(jí)效應(yīng)擴(kuò)展到二維狀態(tài)下的諸多效應(yīng),相應(yīng)的數(shù)學(xué)物理模型逐步擴(kuò)展,模型精度明顯提高;數(shù)值算法更趨完善,從而使模擬的精度更為精確。TsUPREM Bˉ與前幾種版本主要的區(qū)別就是由實(shí)施集成電路平面工藝的一維縱向模擬擴(kuò)展到了二維平面模擬。

   TsUPREM-Ⅳ集成電路I藝仿真系統(tǒng)可實(shí)施的仿真功能覆蓋了當(dāng)今各類集成電路的平面I藝丁序,如各種環(huán)境下的擴(kuò)散丁序、各種氧化劑形式,以及各種組合方式下的氧化行為、硅化物介質(zhì)淀積過(guò)程的仿真、各類集成電路制造所使用的摻雜元素的離子注入行為、各種外延生長(zhǎng)(正外延、反外延、同質(zhì)外延、異質(zhì)外延)過(guò)程的描述、氧化介質(zhì)膜淀積工藝、多形態(tài)選擇性窗口刻蝕的二維描述、多晶硅介質(zhì)的淀積等。更為重要的是,TSUPREM-Ⅳ集成電路工藝仿真系統(tǒng)依據(jù)二維工藝模型,實(shí)時(shí)地反映出各種工藝過(guò)程中雜質(zhì)元素的各向異性行為。這樣,可以在考察摻雜雜質(zhì)縱向行為的同時(shí)連帶考

察它們的橫向行為,特別是對(duì)于小尺寸器件工藝加工過(guò)程的仿真尤為重要。TSUPREM―Ⅳ集成電路工藝仿真系統(tǒng)的模型升級(jí)重點(diǎn)在雜質(zhì)擴(kuò)散過(guò)程二維仿真上。其主要擴(kuò)充點(diǎn)是與雜質(zhì)屬性密切相關(guān)的若干二級(jí)效應(yīng),諸如離子激活效應(yīng)、雜質(zhì)分凝效應(yīng)、點(diǎn)缺陷復(fù)合效應(yīng)等。芷是因?yàn)橐肓松鲜鲂?yīng)的二維描述,則需要考慮摻雜環(huán)境分氣壓的動(dòng)態(tài)變化、不同摻雜氣氛及其氣氛流量并建立二維各向異性的雜質(zhì)屬性模型,它包含了眾多具有各向異性特征的、與雜質(zhì)屬性密切相關(guān)的特征參量。