sUPREM-I發(fā)表于1977年,1978年發(fā)表了sUPREM-Ⅱ。I和Ⅱ版本只能用于分析硅和工氧化硅中一維雜質(zhì)分布;1983年推出SUPREM―Ⅲ,它是上兩個版本的擴充,盡管也只能分析一維結(jié)構(gòu),但與SUPREM―Ⅱ相比,有了很大的改進(jìn);隨后又推出了SUPREM R系列改進(jìn)版本。FGH40T100SMD_F155

   sUPREM-Ⅳ是斯坦福大學(xué)開發(fā)的二維I藝模擬軟件SU盯CM刂的商用改進(jìn)版,它是用ΓHE、中最重要的組成部分。SSUPREM―Ⅳ是世界上公認(rèn)的最先進(jìn)的集成電路工藝模擬軟件之一。通過sSUPREM-Ⅳ對實際工藝的模擬,可以預(yù)知工藝結(jié)果.減少實驗次數(shù):應(yīng)用結(jié)果對有關(guān)軟件的開發(fā)者、使用者及有興趣的科技人員有較大的參考價值。

   TsUPREM-Ⅳ是當(dāng)前集成電路工藝仿真sUPREM系列的最高皈本。版本升級的主要標(biāo)志有以下幾點:模擬的維數(shù)由一維二層結(jié)構(gòu)、一維多層結(jié)構(gòu)至二維多層結(jié)構(gòu);可模擬的效應(yīng)由一級效應(yīng)、二級效應(yīng)擴展到二維狀態(tài)下的諸多效應(yīng),相應(yīng)的數(shù)學(xué)物理模型逐步擴展,模型精度明顯提高;數(shù)值算法更趨完善,從而使模擬的精度更為精確。TsUPREM Bˉ與前幾種版本主要的區(qū)別就是由實施集成電路平面工藝的一維縱向模擬擴展到了二維平面模擬。

   TsUPREM-Ⅳ集成電路I藝仿真系統(tǒng)可實施的仿真功能覆蓋了當(dāng)今各類集成電路的平面I藝丁序,如各種環(huán)境下的擴散丁序、各種氧化劑形式,以及各種組合方式下的氧化行為、硅化物介質(zhì)淀積過程的仿真、各類集成電路制造所使用的摻雜元素的離子注入行為、各種外延生長(正外延、反外延、同質(zhì)外延、異質(zhì)外延)過程的描述、氧化介質(zhì)膜淀積工藝、多形態(tài)選擇性窗口刻蝕的二維描述、多晶硅介質(zhì)的淀積等。更為重要的是,TSUPREM-Ⅳ集成電路工藝仿真系統(tǒng)依據(jù)二維工藝模型,實時地反映出各種工藝過程中雜質(zhì)元素的各向異性行為。這樣,可以在考察摻雜雜質(zhì)縱向行為的同時連帶考

察它們的橫向行為,特別是對于小尺寸器件工藝加工過程的仿真尤為重要。TSUPREM―Ⅳ集成電路工藝仿真系統(tǒng)的模型升級重點在雜質(zhì)擴散過程二維仿真上。其主要擴充點是與雜質(zhì)屬性密切相關(guān)的若干二級效應(yīng),諸如離子激活效應(yīng)、雜質(zhì)分凝效應(yīng)、點缺陷復(fù)合效應(yīng)等。芷是因為引入了上述效應(yīng)的二維描述,則需要考慮摻雜環(huán)境分氣壓的動態(tài)變化、不同摻雜氣氛及其氣氛流量并建立二維各向異性的雜質(zhì)屬性模型,它包含了眾多具有各向異性特征的、與雜質(zhì)屬性密切相關(guān)的特征參量。