用真空蒸發(fā)法制成的鋁一氧化硅也可歸于金屬膜一類;這種電位器的阻值范圍比較寬(0,05~100kΩ),耐磨性和穩(wěn)定性均較好,溫度系數在阻值為5~6kΩ時接近0,低阻時呈正向變化、高阻時呈負向變化。

   氮化鉭膜電位器的電阻體是用微電子學中發(fā)展起來的反應濺射法制成的;它以鉭金屬作為陰極,PAM2423AECADJR在具有適當的氮氣分壓的氬氣條件下進行濺射,并通過適當處理而制成。氮化鉭膜電位器的特點是阻值范圍小(0.1~10kΩ);溫度系數較小(最小可達±0.25×1o6/℃);穩(wěn)定性好(常溫常濕條件下放置1000h,阻值變化在0.05%以下);滑動噪聲小(比碳合成

膜或金屬玻璃釉電位器要小);高頻特性好(直流至80MHz時,其阻值幾乎不變);可靠性和耐磨性好。

   金屬氧化膜電位器(金屬復合膜電位器)

   金屬氧化膜電位器的優(yōu)點是工作頻率高(可在150℃以上正常工作),電阻溫度系數小,分辨力好,摩擦力矩小,體積小,結構簡單,價格低;其缺點是阻值范圍較小,接觸電阻大,且在提高阻值與降低接觸電阻之間存在一定的矛盾,耐磨性較差。