測試每組浪涌電壓
發(fā)布時間:2017/6/20 21:06:38 訪問次數(shù):950
測試步驟:
(1)先用示波器測出并記錄正常情況下的褐PAM8003DR接口工作信號波形。
(2)將浪涌發(fā)生器設置為連續(xù)10次(正、負各5次)輸出1.″50u的標準浪涌電壓為一組測試,間隔ωs。
(3)測試每組浪涌電壓沖擊后的侶5接口工作信號波形,并與正常的信號波形進行比較。
(4)如果比較的結果一致,則提高浪涌電壓繼續(xù)測試,重復(3),直至信號失真,記錄此時施加的浪涌電壓值。
測試數(shù)據(jù):
第一組信號的測試數(shù)據(jù)見表⒋5。
測試步驟:
(1)先用示波器測出并記錄正常情況下的褐PAM8003DR接口工作信號波形。
(2)將浪涌發(fā)生器設置為連續(xù)10次(正、負各5次)輸出1.″50u的標準浪涌電壓為一組測試,間隔ωs。
(3)測試每組浪涌電壓沖擊后的侶5接口工作信號波形,并與正常的信號波形進行比較。
(4)如果比較的結果一致,則提高浪涌電壓繼續(xù)測試,重復(3),直至信號失真,記錄此時施加的浪涌電壓值。
測試數(shù)據(jù):
第一組信號的測試數(shù)據(jù)見表⒋5。
相關技術資料- 6-20測試每組浪涌電壓
- 相關IC型號
- PAM8003DR
- 暫無最新型號
熱門點擊
- 以典型的雙阱CMOS反相器為例介紹CMOS工
- CVD工藝原理
- 電感加熱器
- 注氧隔離(sIMOX)技術
- 屏蔽電纜的屏蔽層一定要360°搭接處理。
- CMOS電路的輸出端不能直接連到一起
- 導線的電阻會隨著頻率的升高而增加
- ESD干擾原理可以從兩方面來考慮
- 硅的濕法刻蝕
- 硅材料的熱退火特性
推薦技術資料
- 硬盤式MP3播放器終級改
- 一次偶然的機會我結識了NE0 2511,那是一個遠方的... [詳細]
公網安備44030402000607
