【原因分析】

   該產(chǎn)品只有一塊PCB,其上有一個頻率為16MHz的晶振3由此可見,160MHz的輻射應該與該晶振有關(注意:并不是說輻射超標是晶振直接輻射造成的):圖6.101是該產(chǎn)品局部PCB布局實圖,從圖6.101中可以明顯看到,16MHz的晶振正好布置在PCB的邊緣。 當一個被測產(chǎn)品置于輻射發(fā)射的測試環(huán)境中時,TCAN1042HVDR被測產(chǎn)品中的高速信號線或高速器件與實驗室中參考接地板會形成一定的容性耦合,即被測產(chǎn)品中的高速信號線或高速器件與實驗室中參考接地板之間存在電場分布或寄生電容,這個寄生電容很小(如小于0.1pF),但是還是會導致產(chǎn)品出現(xiàn)一種共模輻射,產(chǎn)生這種共模輻射的原理如圖6.102所示。在圖6.102中,晶振殼體上的電壓(外殼不接0Ⅴ的晶振)或晶振時鐘信號引腳上的電壓σDM和參考接地板之間產(chǎn)生寄生回路,回路中的共模電流通過電纜產(chǎn)生共模輻射,共模輻射電流fcM≈C・ω・I/DM,其中,C為PCB中信號印制線與參考接地板之間的寄生電容,約在十分之一皮法到幾皮法之間;CP為參考接地板與電纜之間的寄生電容,約為100pF;ω為信號角頻率。

   共模輻射電流JcM會在幾微安到數(shù)十微安之間,由共模輻射公式(6.2) (參見案例甾)可知,電纜上流過這個數(shù)量級的共模電流已足夠造成輻射發(fā)射測試的超標。