CS115(電纜束注入脈沖激勵(lì)傳導(dǎo)敏感度)測(cè)試
發(fā)布時(shí)間:2017/7/6 21:08:12 訪問(wèn)次數(shù):716
CS115(電纜束注入脈沖激勵(lì)傳導(dǎo)敏感度)測(cè)試
1)目的 LF-301MA
本測(cè)試方法用來(lái)檢驗(yàn)EUT承受耦合到與EUT有關(guān)電纜上的脈沖信號(hào)的能力。
2)測(cè)試設(shè)各
⒊脈沖信號(hào)發(fā)生器,~sO Ω;
b。電流注人探頭;
c激勵(lì)電纜,2m長(zhǎng),特性阻抗50Ω,在sO0MHz具有不大于0.5dB的插人損耗;
d.電流探頭;
e。校準(zhǔn)裝置:具有~sO Ω特性阻抗,兩端頭有同軸連接器和在中心導(dǎo)體周圍為校準(zhǔn)注人探頭提供足夠空間的同軸傳輸線;
f示波器,∞Ω輸入阻抗;
⒏衰減器,∞Ω;
h。同軸負(fù)載,sO Ω;
3)測(cè)試方法
按圖D.3~圖D。6所述的一般要求,保持EUT的基本測(cè)試配置的基礎(chǔ)上,按圖D.17所示的要求進(jìn)行配置,并符合如下要求:
⒏將注入和監(jiān)測(cè)探頭鉗在與EUT連接器連接的電纜束上;
b將監(jiān)測(cè)探頭置于距EUT連接器sO mm處,如果連接器和基座殼總長(zhǎng)超過(guò)sO mm,則監(jiān)測(cè)探頭應(yīng)盡量靠近邊接器的基座殼;
⒍將注人探頭置于距監(jiān)測(cè)探頭∞mm處。
測(cè)試前使EUT處于穩(wěn)定工作狀態(tài),并對(duì)包括有完整電源電纜(高位線與回線)的EUT上的每個(gè)連接器短接的每個(gè)電纜束,都要按下列步驟進(jìn)行測(cè)試,對(duì)包含電源回線的電源電纜也要按下列要求進(jìn)行測(cè)試:
CS115(電纜束注入脈沖激勵(lì)傳導(dǎo)敏感度)測(cè)試
1)目的 LF-301MA
本測(cè)試方法用來(lái)檢驗(yàn)EUT承受耦合到與EUT有關(guān)電纜上的脈沖信號(hào)的能力。
2)測(cè)試設(shè)各
⒊脈沖信號(hào)發(fā)生器,~sO Ω;
b。電流注人探頭;
c激勵(lì)電纜,2m長(zhǎng),特性阻抗50Ω,在sO0MHz具有不大于0.5dB的插人損耗;
d.電流探頭;
e。校準(zhǔn)裝置:具有~sO Ω特性阻抗,兩端頭有同軸連接器和在中心導(dǎo)體周圍為校準(zhǔn)注人探頭提供足夠空間的同軸傳輸線;
f示波器,∞Ω輸入阻抗;
⒏衰減器,∞Ω;
h。同軸負(fù)載,sO Ω;
3)測(cè)試方法
按圖D.3~圖D。6所述的一般要求,保持EUT的基本測(cè)試配置的基礎(chǔ)上,按圖D.17所示的要求進(jìn)行配置,并符合如下要求:
⒏將注入和監(jiān)測(cè)探頭鉗在與EUT連接器連接的電纜束上;
b將監(jiān)測(cè)探頭置于距EUT連接器sO mm處,如果連接器和基座殼總長(zhǎng)超過(guò)sO mm,則監(jiān)測(cè)探頭應(yīng)盡量靠近邊接器的基座殼;
⒍將注人探頭置于距監(jiān)測(cè)探頭∞mm處。
測(cè)試前使EUT處于穩(wěn)定工作狀態(tài),并對(duì)包括有完整電源電纜(高位線與回線)的EUT上的每個(gè)連接器短接的每個(gè)電纜束,都要按下列步驟進(jìn)行測(cè)試,對(duì)包含電源回線的電源電纜也要按下列要求進(jìn)行測(cè)試:
熱門(mén)點(diǎn)擊
- 還有反向恢復(fù)時(shí)間更短的肖特基二極管
- 埋層的制備
- 芯片互連技術(shù)
- 兩平行導(dǎo)線之間的距離對(duì)其寄生電容的影響
- 目前市場(chǎng)上出現(xiàn)的BGA封裝,按基板的種類
- WLR――硅片級(jí)可靠性測(cè)試
- RE102(10kHz~18GHz電場(chǎng)輻射發(fā)
- 每個(gè)芯片上的晶體管數(shù)可能達(dá)到數(shù)
- 用導(dǎo)電銅箔在縫隙處將其封住
- 在電源的輸出端口上串聯(lián)一個(gè)150uH的共模電
推薦技術(shù)資料
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- PGM2702采用SSOP28封裝,引腳小而密,EP3... [詳細(xì)]
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