由于G瘀基發(fā)光二極管成功地實現(xiàn)商業(yè)化生產(chǎn),G岔N基發(fā)光二極管在各個領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。 N25Q128A13BSF40G相對先前廣泛使用的發(fā)光二極管,如基于GaAsP、AlGa、As、AlGaInP材料的生長在晶格匹配的導(dǎo)電襯底上的發(fā)光二極管,大多數(shù)GaN基LED生長在晶格不匹配的異質(zhì)絕緣襯底(如藍(lán)寶石)上。因此,GaN基LED由于襯底原因衍生出一系列獨有的問題,如晶格不匹配,高密度的位錯,側(cè)向電流擴(kuò)展,熱力性質(zhì)不匹配等。尤其是在低濕度的環(huán)境下,由于襯底是絕緣體,處理過程中產(chǎn)生的靜電電荷很容易長時間蓄積起來。當(dāng)這些蓄積的靜電電荷釋放的時候,產(chǎn)生的靜電放電會損壞器件的性能甚至完全毀掉器件。因此,GaN基LED相較于其他類似器件對靜電更敏感。在實際生產(chǎn)中,據(jù)美國國家標(biāo)準(zhǔn)學(xué)會(American National Standards Institutc,AN⒌)對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的調(diào)查顯示,靜電放電(EsD)損傷導(dǎo)致的平均產(chǎn)品損失在8%~33%。實際的生產(chǎn)線上,⒍N基LED出片數(shù)的5%存在ESD性能不達(dá)標(biāo)而作廢,同時發(fā)光波長過大和光功率過小的性能異常幾乎均伴隨有抗靜電性能不達(dá)標(biāo)的現(xiàn)象,也就說是LED芯片大多數(shù)性能異常均伴隨EsD性能不達(dá)標(biāo)的現(xiàn)象。

   因此對如何提高G瘀基LED的ESD性能的研究非常有必要。不僅能降低ESD性能不達(dá)標(biāo)導(dǎo)致的廢品率,還能對其他性能缺陷的產(chǎn)生原因的發(fā)現(xiàn)提供有用的線索。