由于G瘀基發(fā)光二極管成功地實現(xiàn)商業(yè)化生產(chǎn),G岔N基發(fā)光二極管在各個領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。 N25Q128A13BSF40G相對先前廣泛使用的發(fā)光二極管,如基于GaAsP、AlGa、As、AlGaInP材料的生長在晶格匹配的導電襯底上的發(fā)光二極管,大多數(shù)GaN基LED生長在晶格不匹配的異質(zhì)絕緣襯底(如藍寶石)上。因此,GaN基LED由于襯底原因衍生出一系列獨有的問題,如晶格不匹配,高密度的位錯,側(cè)向電流擴展,熱力性質(zhì)不匹配等。尤其是在低濕度的環(huán)境下,由于襯底是絕緣體,處理過程中產(chǎn)生的靜電電荷很容易長時間蓄積起來。當這些蓄積的靜電電荷釋放的時候,產(chǎn)生的靜電放電會損壞器件的性能甚至完全毀掉器件。因此,GaN基LED相較于其他類似器件對靜電更敏感。在實際生產(chǎn)中,據(jù)美國國家標準學會(American National Standards Institutc,AN⒌)對半導體產(chǎn)業(yè)的調(diào)查顯示,靜電放電(EsD)損傷導致的平均產(chǎn)品損失在8%~33%。實際的生產(chǎn)線上,⒍N基LED出片數(shù)的5%存在ESD性能不達標而作廢,同時發(fā)光波長過大和光功率過小的性能異常幾乎均伴隨有抗靜電性能不達標的現(xiàn)象,也就說是LED芯片大多數(shù)性能異常均伴隨EsD性能不達標的現(xiàn)象。

   因此對如何提高G瘀基LED的ESD性能的研究非常有必要。不僅能降低ESD性能不達標導致的廢品率,還能對其他性能缺陷的產(chǎn)生原因的發(fā)現(xiàn)提供有用的線索。