對于這些不同架構(gòu)的存儲器來說,按照存儲層的材料可以分為三維浮柵存儲器和=維電荷俘獲存儲器。TA7291FG前者主要由美同美光公司推介,在2015年底完成了技術(shù)上的準備,由于采用多晶硅浮柵作為存儲層,存儲單元面積更大,在實現(xiàn)更多層存儲單元層疊時工藝難度較大,因此主要是通過把外圍電路置于存儲陣列下面來實現(xiàn)面積的縮減。對于三維電荷俘獲存儲器,又可以劃分為垂直柵型和垂直溝道型。臺灣旺宏公司推出的基于垂直柵結(jié)構(gòu)的=維電荷俘獲閃存結(jié)構(gòu),工藝上要難于垂直溝道型,一直未見其宣告量產(chǎn)。垂直溝道型三維電荷俘獲存儲器是最早實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)的閃存產(chǎn)品,2013年8月,三星電子公司推出了第一代24層的=維垂直溝道型電荷俘獲=維存儲器,2014年7月推出了第二代32層128Gb產(chǎn)品,⒛15年推出了迮8層256Gb的產(chǎn)品。事實上,=星電子公司的垂直溝道型三維電荷俘獲存儲器單元也是基于無結(jié)場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu),如圖3.31所示。該芯片具有24層堆疊的字線(WI冫)0除最底層的單元選擇晶體管為常規(guī)反型工作模式,其余每個字單元晶體管均為基于電荷捕獲閃存無結(jié)薄膜晶體管(JI冫Charge Tmp Flash Thi⒈Ⅲm Transistor,J⒈CTFTFT)。該器件關(guān)閉時要求多晶硅薄膜溝道(管狀)處于全耗盡狀態(tài);因此,多晶硅薄膜厚度(TCH)要盡量薄。此外,進一步增加存儲單元密度的強勁需求,也在不斷推動縮小多晶硅薄膜溝道TCH。與工作在反型模式(IM)的器件相比,該產(chǎn)品表現(xiàn)出更優(yōu)異的性能,可提供更快速的寫人/擦除(P/E)速度,更大的內(nèi)存窗口(>12V)和更好的耐力()101次);在150℃測試條件下,還具有優(yōu)良的10年數(shù)據(jù)保留能力。更為出色的是該器件開關(guān)電流比大于10:,同時具備非常陡峭的亞閾值擺幅(SS)[63]