在熱氧化工藝中,主要使N2T6716用的氧源是氣體氧氣、水等,而硅源則是單晶硅襯底或多晶硅、非晶硅等。氧氣會消耗硅(Si),多晶硅(Poly)產生氧化,通常二氧化硅的厚度會消耗0.54倍的硅,而消耗的多晶硅則相對少些。這個特性決定了熱氧化工藝只能應用在側墻工藝形成之前的氧化硅薄膜中。同時熱氧化工藝的氧化速率受晶相(111)100)、雜質含量、水汽、氯含量等影響,它們都使得氧化速率變快[1]。具體的方法有:

   Si(固態(tài))+O2(氣態(tài))――>Si()2(固態(tài)×干氧法)

   Si(固態(tài))+H20(氣態(tài))――)SiO2(固態(tài))+2H2(濕氧法)

   化學氣相沉積法使用的氧源有02,03,N20等,硅源有TEOS(tetraethyl or tllo⒍hcate,⒏(OC2H5)4),SiH1,BTBAS(二丁基胺矽烷,Bls(tertiarybutylamino)),TDMAS(Tris(Dimetll￠amin。)引⒛e)等「⒉3]。通過LPCVD多片垂直爐管得到氧化硅薄膜的方法有:

TEOS(液態(tài))――>SiO2(固態(tài))+副產物(氣態(tài)×550~800℃)⒏H4(氣態(tài))+N20(氣態(tài))――>SiO2(固態(tài))+副產物(氣態(tài))(650~900℃)BTBAS+02/C)3―→⒏O2(固態(tài))+副產物(氣態(tài)×450~600℃)通過單片單腔體的沉積機器獲得氧化硅薄膜的方法有TEOS+03、SiH4+O2等,一般的溫度范圍為400~550℃。