圖4,18是一個(gè)典型的多步沉積亥刂蝕HDP CVD的工藝。與一般的HDP相似,主要通 K4B2G1646C-HCH9過(guò)SlH4和02反應(yīng)來(lái)形成SiO2薄膜。但是沉積過(guò)程的要求與傳統(tǒng)的HDP不同,傳統(tǒng)的HDP CVD要求側(cè)壁沉積盡可能薄以提供足夠的開(kāi)口使反應(yīng)粒子可以到達(dá)溝槽底部,最大限度實(shí)現(xiàn)從底部到頂部的填充。但是多步DEP ETCH的HDP CVD主要是以⒏O2的刻蝕為主導(dǎo)的,因此輪廓結(jié)構(gòu)的控制更重要,最優(yōu)化的沉積應(yīng)該有足夠厚的側(cè)壁保護(hù),對(duì)稱(chēng)的沉積輪廓。應(yīng)用材料的研究表明(見(jiàn)圖4.19),較低的沉積溫度(230~600℃)能夠很大地改善側(cè)壁的保護(hù)但又不損傷填充能力,同時(shí)可以通過(guò)調(diào)節(jié)沉積溫度將薄膜的應(yīng)力從180MPa調(diào)到100MPa。一旦沉積條件確定后,填充能力可以通過(guò)每個(gè)循環(huán)中沉積和刻蝕的量來(lái)優(yōu)化。

   降低每個(gè)沉積過(guò)程的沉積厚度可以實(shí)現(xiàn)更多次的輪廓調(diào)整,但是這樣會(huì)增加沉積時(shí)間也引入更多的F,有可能會(huì)對(duì)器件可靠性造成影響。而沉積過(guò)程中的物理轟擊氣體分子量越大,可以在溝槽頂部形成Cuspil△bo來(lái)以保護(hù)溝槽頂部在刻蝕過(guò)程中不被損傷。日前主要采用He為主的He/H2混合,主要想通過(guò)保證填充能力的同時(shí)為溝槽頂部提供足夠的保護(hù)。