Hf02族的高乃介質(zhì)主要通過原子層沉積(ALD)或金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積(MOCVD)等方法沉積。NCP1654BD65R2G后柵極工藝路線主要采用ALD方法生成柵極介質(zhì)Hf02,因為其沉積溫度較低(300~400℃),低于HfO2的結(jié)晶溫度。沉積采用的前驅(qū)體是H℃h,與H2O反應(yīng)生成HfO2。

   HfCl衽+H20~→H⒀2+HCl

   前柵極I藝路線主要采用MOCVD沉積HsiO,然后通過熱或等離子氮化生成HsiON。沉積溫度較高(600~700℃),因為較高的沉積溫度配合后續(xù)高溫的氮化和氮化后熱處理(1000℃),有助于去除薄膜中的C雜質(zhì),已知C雜質(zhì)會在HfO2中形成施主能級,增大薄膜的漏電流(見圖4.10)。

   沉積采用的Hf前驅(qū)體是TDEAH或HTB,⒏前驅(qū)體是TDMAS或TEOS,與02反應(yīng)生成H⒗iO。

   TDEAH(HfEN(GH5)2]1)+TDMAS(⒏EN(CH3)2彐4+(九――÷HsiOx+C(、+H20+NOx HTB(Hf[O~C(CH3)3]刂+TEOS(⒏Eo~C(CH3)3彐4+02一Hf⒏Ox+CΘ2+H20