高乃介質(zhì)的一個(gè)挑戰(zhàn)是維持器件的高驅(qū)動(dòng)電流,如前所述,在高乃介質(zhì)上面采用金屬電極取代多晶硅,NCP305LSQ15J可以減少溝道內(nèi)電子遷移率損失,但還需要在高慮介質(zhì)和⒏基底之間加入Si()2/Si()N作為界面緩沖層,進(jìn)一步改善電子遷移率。界面層還有助于界面的穩(wěn)定性和器件的可靠性,因?yàn)樵谝郧岸鄠�(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn),⒏o2/Si()N與⒏基底界面的優(yōu)化已經(jīng)研究得十分深人了。當(dāng)然,界面層的存在也有不利的一面,它使得整體柵極介質(zhì)(由低慮值的Si()2/Si()N和高乃值的HfO2族介質(zhì)構(gòu)成)的乃值降低,從而影響Ef)T的降低,所以必須嚴(yán)格控制它的厚度。

  界面層的形成可以采用s的高溫氧化(如ISSG工藝),或化學(xué)氧化來實(shí)現(xiàn)。