高乃介質(zhì)的另一個(gè)挑戰(zhàn)是yt的調(diào)節(jié)。多晶硅柵極可以通過(guò)不同的摻雜實(shí)現(xiàn)(P型和N型),金屬柵極則需要找到適合PMOS和NMOS的具有不同功函數(shù)的金屬材料。 NCP3170ADR2G不幸的是大多數(shù)柵極金屬材料在經(jīng)過(guò)源/漏高溫?zé)崽幚砗?功函數(shù)都會(huì)漂移到帶隙中問(wèn),從而失去V1調(diào)節(jié)的功用(詳述見(jiàn)金屬柵極章節(jié))。所以對(duì)于先柵極工藝,通常采用功函數(shù)位于帶隙中間的金屬(如TiN),而通過(guò)在高乃介質(zhì)上(或下)沉積不同的覆蓋層來(lái)調(diào)節(jié)V1。對(duì)NMOS,覆蓋層需要含有更加電正性的原子(L助O3),而對(duì)PMOS,覆蓋層需要含有更加電負(fù)性的原子(A12O3)。在高溫?zé)崽幚砗?覆蓋層會(huì)與高花介質(zhì)/界面層發(fā)生互混,在高虍介質(zhì)/界面層的界面上形成偶極子,從而起到V1調(diào)節(jié)的作用。圖4.11表示不同覆蓋層對(duì)平帶電壓的影響,可以看到這種方法對(duì)NMC)S的作用十分明顯(La2()3),而對(duì)PM()S,效果則不顯著(A1203),而且由于A1203的乃值較低,PMOS的EOT也會(huì)受到影響。