在源/漏區(qū)選擇性外延生長(zhǎng)鍺化硅。

   源/漏結(jié)的形成。 TC74HC00AF

   自對(duì)準(zhǔn)硅化物的形成。

   雙極應(yīng)力刻蝕阻擋層薄膜的形成。

   沉積金屬層前的介電層。

   使用化學(xué)機(jī)械研磨去除上述介電層來(lái)暴露多晶硅柵電極。

   去除虛擬多晶硅柵電極和柵氧化物。

   沉積高介電常數(shù)柵和金屬電極。

   使用化學(xué)機(jī)械研磨去除多余的金屬層等后續(xù)工藝。

   在5,4節(jié)已經(jīng)討論了雙極應(yīng)力刻蝕阻擋層薄膜在提高器件性能方面的實(shí)用性。在應(yīng)力薄膜技術(shù)中,器件性能的提高依賴于薄膜本身的應(yīng)力、厚度,并與溝道的接近程度有關(guān)。我們把應(yīng)力薄膜放置于更加靠近溝道的方法叫做應(yīng)力臨近技術(shù)(⒏rcss Pro妯mity Tech血que,SPT)[+l。應(yīng)力臨近技術(shù)已經(jīng)被成功地用于雙極應(yīng)力刻蝕阻擋層薄膜技術(shù)中,它通過(guò)去除應(yīng)力薄膜和多晶硅柵之間的側(cè)墻,使得從應(yīng)力薄膜到溝道之間的應(yīng)力接近和應(yīng)變轉(zhuǎn)移得到最大化E40~421。要獲得更高的器件性能,需要在溝道中施加更大的應(yīng)變;也可以在同樣應(yīng)力的薄膜條件下,通過(guò)減薄側(cè)墻寬度來(lái)獲得。然而,減薄側(cè)墻寬度會(huì)降低器件的短溝道特性,也會(huì)使自對(duì)準(zhǔn)硅化物太靠近溝道,從而帶來(lái)自對(duì)準(zhǔn)硅化物與溝道連通的風(fēng)險(xiǎn)。采用應(yīng)力臨近技術(shù),側(cè)墻在自對(duì)準(zhǔn)硅化合物形成后去除,然后沉積雙極應(yīng)力刻蝕阻擋薄膜。這樣就可以最小化上面所提及的潛在問(wèn)題。