形成后去除,然后沉積雙極應(yīng)力刻蝕阻擋薄膜。這樣就可以

最小化上面所提及的潛在問題。一個(gè)典型的應(yīng)力臨近技術(shù)工藝流程如下: TC74HC10AFN

   (1)包括自對(duì)準(zhǔn)硅化物形成在內(nèi)的前續(xù)工藝。

   (2)通過干法刻蝕來部分去除側(cè)墻。

   (3)沉積拉應(yīng)力薄膜。

   (4)去除PM(B區(qū)的拉應(yīng)力薄膜。

   (5)沉積壓應(yīng)力薄膜。

   (6)去除NMOS區(qū)的壓應(yīng)力薄膜。

   (7)包含沉積金屬前介電薄膜在內(nèi)的后續(xù)I藝。

   在部分去除側(cè)墻工藝的過程中,需要小心處理并且防止過量損失自對(duì)準(zhǔn)硅化物。從圖5.16中可以看到,采用應(yīng)力臨近技術(shù)進(jìn)一步地提高了器件的驅(qū)動(dòng)電流。

   圖5.16 有和沒有應(yīng)力臨近技術(shù)的pMOs驅(qū)動(dòng)電流比較