圖6,6是標(biāo)準(zhǔn)的Endura物理氣相沉積(PVD)鎳鉑合金薄膜的機(jī)臺(tái)結(jié)構(gòu),主要包括工部分:預(yù)清潔處理腔(prcdean)、鎳鉑(N←Pt)合金薄膜沉積腔和蓋帽層(cap larr)TiN沉積腔。其中根據(jù)具體工藝需要,每種腔室可以有一個(gè)或多個(gè),TC74HC4075AP以達(dá)到最佳的工藝速度。這些I藝腔室被集成在兩個(gè)較大的公用腔室上,所有的腔室都是高真空的,要達(dá)到106托以下,并采用逐級(jí)真空,其中,反應(yīng)腔的真空度最高。工藝過(guò)程中,硅片(wafer)先進(jìn)人預(yù)清潔處理腔,以去除硅片表面的自然氧化物(native oxide),然后進(jìn)人鎳钅自合金薄膜沉積腔沉積一層鎳-鉑合金薄膜,最后進(jìn)人TiN沉積腔生成蓋帽層。下面對(duì)這二種工藝腔進(jìn)行詳細(xì)描述。