HKMG(高七介質(zhì)層+金屬柵極)整合工藝

   目前在制作HKMG結(jié)構(gòu)晶體管的工藝方面,業(yè)內(nèi)主要存在兩大各自固執(zhí)己見的不同陣營,TC74HC4075AP分別是以IBM為代表的gate first(先柵極)工藝流派和以Inte1公司為代表的gat⒍last(后柵極)工藝流派(見圖6.2)「3]。后柵極I藝叉分先高々和后高乃兩種不同方法,圖6.2所示為先高乃后柵極工藝,Intel公司在媽nm采用,到32nm后轉(zhuǎn)為后高乃后柵極工藝。一般來說使用gate伍rst工藝,高慮介質(zhì)和金屬柵極必須經(jīng)受漏源極退火I藝的高溫,因此實現(xiàn)HKMG結(jié)構(gòu)的難點(diǎn)在于如何控制PMC)S管的V1電壓(閾值電壓);而gat⒍last工藝雖然工藝復(fù)雜,芯片的管芯密度同等條件下要比gate first工藝低,但是金屬柵極不需要經(jīng)受高溫過程,不論先高乃還是后高乃。因此先柵極金屬柵材料的選擇非常困難。