SiCoNi是一種高選擇性的預(yù)清潔方式,⒊O2:⒏>9o:1,Sio2:S1N4)5:1。TC74LCX32FT圖6.9為siCoNi反應(yīng)腔的結(jié)構(gòu),主要包括rem。te plasma發(fā)生器、hot showerhead、∞ldpedestal等主要部件。remote plasma產(chǎn)生器的主要作用是將NF3和NH3的混合氣體在plasma作用下生成活性粒子。l・ot showerhead的溫度為180℃左右,硅片上的⒏o2生成易升華的化合物(NH4)2⒏F6后,會被升舉而靠近hot showerhead,將(NH犭)2SiF6升華。由于(NH砭)2SiF6只有在低溫條件下才會生成,因此,∞1d pedestal的溫度較低,接近室溫,為(NH1)2SiF6的生成提供條件。圖6.10為SiCoNi工藝過程,硅片進人反應(yīng)腔后,NF3和NH3的混合氣體在rem。te plasma發(fā)生器中產(chǎn)生活性粒子,活性粒子進人反應(yīng)腔后與硅片表面的⒏O2反應(yīng)生成易升華的化合物(NH4)2SiF6,然后將硅片升舉到hot showOrhead附近,利用輻射加熱的方式將硅片表面的(NH4)2⒏F6升華,然后由真空泵將氣體抽走。在實際工藝過程中,有時一步升華很難把硅片表面的副產(chǎn)物去除干凈,往往采用兩步或多步升華以達到徹底除去副產(chǎn)物的目的。