光刻膠垂直方向的形貌也發(fā)生變化
發(fā)布時間:2017/10/25 21:23:42 訪問次數(shù):2384
圖7.13(a)中,灰色的圖形代表光刻膠(正性光刻膠)經(jīng)過曝光和顯影后的橫斷面形貌。 TA7508隨著曝光能量的不斷增加,線寬變得越來越小。隨著焦距的變化,光刻膠垂直方向的形貌也發(fā)生變化。先討論隨能量的變化。如果選定焦距為-0.1um,也就是投影的焦平面在光刻膠頂端往下0.1um的位置。如果測量線寬隨能量的變化,可以得到如圖7.14所示的一根曲線。
如果我們選定線寬全部允許范圍(total CDtolerance)為線寬90nm的±10%,即18nm,而線寬隨曝光能量的變化斜率為6.5nm/(mJ/cm2),最佳曝光能量為zOlllJ/cm2,則能量寬裕度EL為18/6,5/⒛=13.8%。夠不夠呢?這個問題同光刻機的能力強弱、工藝生產(chǎn)控制的能力、器件對線寬的要求高低等因素 有關(guān)。能量寬裕度同光刻膠對空間像的保真能力也有關(guān)系。一般來講,在90nm、65nm、45nm以及32nm節(jié)點,柵極層光刻的EL要求為15%~~90%,金屬連線層對EL的要求為13%~15%左右。
能量的寬裕度還同像對比度直接相關(guān),不過這里的像不是來源于鏡頭的空間像,而是經(jīng)過光刻膠光化學(xué)反應(yīng)的“潛像”。光刻膠對光的吸收以及發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)需要光敏感成分在光刻膠薄膜內(nèi)擴散,這種光化學(xué)反應(yīng)所必需的擴散會降低像的對比度。
圖7.13(a)中,灰色的圖形代表光刻膠(正性光刻膠)經(jīng)過曝光和顯影后的橫斷面形貌。 TA7508隨著曝光能量的不斷增加,線寬變得越來越小。隨著焦距的變化,光刻膠垂直方向的形貌也發(fā)生變化。先討論隨能量的變化。如果選定焦距為-0.1um,也就是投影的焦平面在光刻膠頂端往下0.1um的位置。如果測量線寬隨能量的變化,可以得到如圖7.14所示的一根曲線。
如果我們選定線寬全部允許范圍(total CDtolerance)為線寬90nm的±10%,即18nm,而線寬隨曝光能量的變化斜率為6.5nm/(mJ/cm2),最佳曝光能量為zOlllJ/cm2,則能量寬裕度EL為18/6,5/⒛=13.8%。夠不夠呢?這個問題同光刻機的能力強弱、工藝生產(chǎn)控制的能力、器件對線寬的要求高低等因素 有關(guān)。能量寬裕度同光刻膠對空間像的保真能力也有關(guān)系。一般來講,在90nm、65nm、45nm以及32nm節(jié)點,柵極層光刻的EL要求為15%~~90%,金屬連線層對EL的要求為13%~15%左右。
能量的寬裕度還同像對比度直接相關(guān),不過這里的像不是來源于鏡頭的空間像,而是經(jīng)過光刻膠光化學(xué)反應(yīng)的“潛像”。光刻膠對光的吸收以及發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)需要光敏感成分在光刻膠薄膜內(nèi)擴散,這種光化學(xué)反應(yīng)所必需的擴散會降低像的對比度。
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