與具有壓縮薄膜應(yīng)力的HDP不同,空白片沉積的HARP薄膜具有拉伸應(yīng)力,經(jīng)過高溫退火后, K4H511638J-LCCC應(yīng)力由拉伸轉(zhuǎn)為壓縮(見圖4,23)。但是對(duì)于圖形化的硅片,AMAJ3]通過測(cè)定圖 形化后硅片的彎曲程度,分別得到薄膜沉積后,退火后以及化學(xué)機(jī)械拋光后的硅片所受應(yīng)力狀態(tài),如圖4.24所示。沉積后與退火后結(jié)果與空白片結(jié)果類似,但是機(jī)械拋光后HDP會(huì)產(chǎn)生一個(gè)非常高的壓應(yīng)力,但是HARP會(huì)對(duì)有源區(qū)產(chǎn)生拉應(yīng)力,而且退火溫度也會(huì)對(duì)拉應(yīng)力大小產(chǎn)生影響。

   由HARP STI引起的拉伸應(yīng)變可能是由兩方面的原因造成的。對(duì)該應(yīng)力的回滯研究(見圖4,23)表明當(dāng)退火溫度上升時(shí),HARP薄膜應(yīng)力將變得更加抗延伸,這將給活性⒏帶來拉伸應(yīng)變:即使冷卻后HARP薄膜壓縮在一起時(shí),這種張力應(yīng)變?nèi)匀槐挥洃洸⒈Ａ粼冖?/span>中。其次,HARP薄膜將在退火后收縮,但HDP薄膜不會(huì)。退火后HARP薄膜被限制在溝槽中進(jìn)行收縮,為⒏提供了另一種強(qiáng)大的拉伸應(yīng)變,這也進(jìn)一步增強(qiáng)了NFET和PFET的載流子移動(dòng)性,尤其是窄寬度晶體管器件[3」。這也是采用HARP代替HDP的另一優(yōu)勢(shì)。