pedestal等主要部件。remote plasma產(chǎn)生器的主要作用是將NF3和NH3的混合氣體在plasma作用下生成活性粒子。l・ot showerhead的溫度為180℃左右,硅片上OPA128SM的⒏o2生成易升華的化合物(NH4)2⒏F6后,會被升舉而靠近hot showerhead,將(NH犭)2SiF6升華。由于 (NH砭)2SiF6只有在低溫條件下才會生成,因此,∞1d pedestal的溫度較低,接近室溫,為(NH1)2SiF6的生成提供條件。圖6.10為SiCoNi工藝過程,硅片進人反應腔后,NF3和NH3的混合氣體在rem。te plasma發(fā)生器中產(chǎn)生活性粒子,活性粒子進人反應腔后與硅片表面的⒏O2反應生成易升華的化合物(NH4)2SiF6,然后將硅片升舉到hot showOrhead附近,利用輻射加熱的方式將硅片表面的(NH4)2⒏F6升華,然后由真空泵將氣體抽走。在實際工藝過程中,有時一步升華很難把硅片表面的副產(chǎn)物去除干凈,往往采用兩步或多步升華以達到徹底除去副產(chǎn)物的目的。

   在實際的集成電路制造工藝中,為了確保機臺在生產(chǎn)產(chǎn)品時不會出現(xiàn)問題,需機臺進行測試(monitor),對于siCoNi反應腔來說,當用長有⒏O2的空白硅片測試在工藝過程中的顆粒(particle)缺陷時,發(fā)現(xiàn)將經(jīng)過sCoNi preclean的硅片放置一段時間之后,在硅片的中心會出現(xiàn)大量的particle,隨著時間的增加,這種particle會自動減少,直至消失,這就是所謂的“幽靈(gh°st)”缺陷,見圖6.11,這會影響對機臺實際狀況的評估。為了克服這個缺陷,得到?jīng)]有g(shù)l・ost效應的測試結(jié)果,可采用裸露的硅片作為測試硅片。