接觸窗(contact window)由兩部分構(gòu)成,一部分是作為黏合層的Tl/TiN(glue layer),OPA177GS/2K5另一部分是接觸孔的填充物鎢栓(W plug)。主要目標(biāo)是在不出現(xiàn)填洞問(wèn)題的前提下,RC盡可能低。本節(jié)介紹業(yè)界在提高填洞能力和降低RC方面的歷史、現(xiàn)狀和未來(lái)的發(fā)展。針對(duì)glue layer,主要介紹提高臺(tái)階覆蓋率(step∞verage),側(cè)重機(jī)臺(tái)(tclol)在硬件(hardware)的演變對(duì)step∞verage的影響,同時(shí)介紹在不同的世代(generation)對(duì)∞ntact環(huán)節(jié)(loop)的要求以及在△藝整合上的調(diào)整。對(duì)于W,除了介紹填洞方面所做的努力,還會(huì)介紹在△藝方面所做的工作,以減少形核層(nucleati°n layer)厚度和增大體層(bulk layer)W晶粒大小為主。

    主要的問(wèn)題

   Glue layer是黏合層,增加W與基體(substrate)材料――主要是氧化硅(⒏o2)的結(jié)合力。glue layer叉分為Ti和TiN兩層。其中Ti起到黏合作用,同時(shí)也有一定的清潔(gettering)作用,在高溫下能與Si02反應(yīng),生成含Ti的硅氧化物降低阻值。只有△不行,因?yàn)樵诔练eW時(shí),是CVD制程,會(huì)用到WF6。WF6有很強(qiáng)的氧化性,會(huì)與Ti反應(yīng),生成一種稱為火山口(volcano)的缺陷,造成整個(gè)∞ntact與substrate的剝離(peeling),需要有一 層隔離層。TlN就起到阻擋層的作用,它能阻止WF6和Tl的擴(kuò)散與接觸,從而避免了volcan°的形成。只有TiN也不行,因?yàn)門iN的應(yīng)力非常大,容易從substrate上剝離,需要Ti作為緩和層(buffcr layer)來(lái)提高接合力。