與傳統(tǒng)的PVD相比較,ALPs主要有三個(gè)方面的改進(jìn)以增強(qiáng)臺(tái)階覆蓋率和降低不對(duì)稱性。OPA129UB

   (1)增加硅片和靶材之間的距離(lo呷through),使從靶材上濺射出來的大角度的粒子沉積到反應(yīng)腔的側(cè)壁上,只有小角度的粒子可以到達(dá)硅片表面。

   (2)降低反應(yīng)壓力(low prcssure),壓力越低,氣體分子的平均自由程會(huì)越大,粒子的碰撞概率降低,這樣可以確保更具有方向性的沉積。

   (3)在硅片和靶材之問安裝基環(huán)(ground ring),如圖6.15(a)所示�；h(huán)可以將一些大角度的粒子過濾,確保到達(dá)硅片表面的都是小角度的粒子,以增加階梯覆蓋率和降低不對(duì)稱性。當(dāng)制程發(fā)展到45nm時(shí),線寬進(jìn)一步縮小,AI'PS不再滿足階梯覆蓋率和不對(duì)稱性的要求,此時(shí),需要對(duì)ALPS進(jìn)行改進(jìn),采用ALPS ESI(Extend⒐licide Integration),用聚焦環(huán)(focus hng)替代基環(huán),見圖6.15(b)。