像所有其他SACVD03TEOS工藝一樣,HARP沉積工藝也對襯底材料表現(xiàn)出了很高的敏感性。K4H561638H-UCCC如表4.7所示,HARP在si02上比在⒏N上的沉積速率慢。這種敏感性與溫度、03/TEOS比例以及壓力有非常強的關(guān)系,所以當評價HARP在CMP的溝槽中的loading時,HARP的表面敏感性也需要被考慮在內(nèi)。

   Qimonda等公司L:]報道了利用SATEC)S對襯底的敏感性,實現(xiàn)了薄膜在溝槽中選擇性生長,從而得到從下到上的填充效果。但是具體通過什么處理以及采用什么樣的條件,并沒有詳細的報道。

   隨著器件尺寸的繼續(xù)減小,seam對填充的影響會越來越大,應用材料公司在HARP系統(tǒng)中引人H2O將是32nm或22nm的發(fā)展方向,另外通過刻蝕對HARP沉積中的輪廓進行修正也變得越來越重要。