物理氣相沉積的銅種子層在生長的過程中,銅會(huì)長到硅片的邊緣,甚至?xí)L到硅片的背面,XC17512LSC對(duì)后續(xù)工藝機(jī)臺(tái)產(chǎn)生金屬污染。另外,物理氣相沉積的阻擋層和種子層在硅片邊緣的均 勻性都不太好,銅會(huì)在阻擋層局部的薄弱地方擴(kuò)散到介電材料中,引起失效【33]。而且,邊緣不均勻的銅種子層與后續(xù)的薄膜存在黏附性問題,產(chǎn)生脫落,成為顆粒缺陷的來源。因此,化學(xué)電鍍之后的洗邊(EBR)非常必要。

    圖6.41為洗邊裝置,鍍有銅的硅片正面朝上,在卡槽內(nèi)高速旋轉(zhuǎn),一定比例的H2O2和H2SC)4的混合液體從硅片邊緣的噴嘴噴出,把硅片邊緣一圈的銅去除,洗邊之后,阻擋層仍然保留在硅片上。