選擇性鍺硅工藝可以分為兩種工藝流程,一種是K4S561632N-LC75在形成側墻offsct工藝之前嵌人鍺硅(SiGe伍rst process),另一種是在源漏擴展區(qū)和側墻工藝形成后嵌人鍺硅(SiGe lastprocess),如圖5.2所示[4]。

   選擇性鍺硅外延工藝(Selective Epitaxy Growth,SiGe SEG)一般包含酸槽預處理、原位氫氣烘焙(ill situ H2bake)、選擇性鍺硅外延三個步驟。酸槽預處理采用HF和RCA清洗的方法,去除硅刻蝕后表面的雜質。在原位氫氣烘焙過程中,原生氧化物被去除,使得碳氧含量低于3e1:ato血/cm3。然后進行選擇性鍺硅的外延,所采用的硅源有siH1、SiH2α2 (0CS),鍺源有GeH|,HCl用于抑制鍺硅形成于保護層△,氫氣作為載氣。在酸槽預處理后,需要控制在一定的時間內(如(90min)進入原位烘焙腔體中,否則硅表面會產生氧化物,使得外延出來的鍺硅有位錯(dislocation)和堆棧缺陷(stacking hults〉,導致五realcakage偏高「3]。原位氫氣烘焙的溫度在800℃以下不足以去除硅表面的碳氧雜質,使得area leakage偏高。

   選擇性鍺硅外延I藝使用的凹穴(recess∞訪ty)形狀(見圖5.3)有:反向盂grllta hke∑Ⅱ,boxhkc L」,r。und hke`,(111>hke L等。其中<111)hke的凹穴形狀難于形成堆棧缺陷。