對于技術(shù)節(jié)點(diǎn)為亞65nm、器件深寬比大于8的結(jié)構(gòu)來說,人們發(fā)現(xiàn)用這種多步的沉積一刻蝕雖然能夠改善HDP的填充能力,但是會使工藝變得非常復(fù)雜, K4D263238F-QC50沉積速度變慢,而且隨著循環(huán)次數(shù)的增加,刻蝕對襯底的損傷會變得更加嚴(yán)重。囚此03―TEOS基的亞常壓化學(xué)汽相沉積(SACVD)工藝再次提出被用于溝槽填充,由于它可以實(shí)現(xiàn)保形生長,所以具有很強(qiáng)的填充能力(深寬比)10)。但是由于SACVD是一種熱反應(yīng)過程,所以傳統(tǒng)的SACVD生長速度都比較慢,美國應(yīng)用材料公司AMAT的HARP(High Aspect Ratio Process)采用TEOS ram盯up技術(shù),可以在保證填充能力的條件下,獲得較快的生長速度,這使得SACVD 代替HDP成為可能。而且隨著器件尺寸的減小,器件對等離子造成的損傷越來越敏感,sACVD由于是一種純熱過程,所以在45nm以后它比HDP有更多的優(yōu)勢。

   目前主要用于STI與PMD絕緣介質(zhì)的填充。STI過程因?yàn)闆]有溫度限制,所以可以通過高溫540℃獲得高質(zhì)量高填充能力的薄膜,而PMD由于有使用溫度限制,一般采用4∞℃沉積溫度。

   由于SACVD是一種熱反應(yīng)過程,一般來講,低的沉積速度和高的03/TEOS比值將獲得較高的填充能力。AMAT的H^RP采用=步沉積法,通過調(diào)節(jié)03/TEC)s比例獲得較好的填充效果同時提高沉積速率(見圖4.20):第一步是TEOS ramp up的過程,在沉積的起始階段,保持非常高的03/TEOS比例,以較慢的速度得到非常薄的成核層;第二步在較低的速度下保證填滿整個STI溝槽間隙。因此,把第一步與第二步中的03/TE(JS比值設(shè)計得很高,到第三步時,繼續(xù)提高反應(yīng)中TEOS的流量,從而得到更高的沉積速率。