由于SACVD形成的⒊O2薄膜質(zhì)量較差,所以在用于淺溝槽隔離時(shí),在薄膜沉積完成后需要進(jìn)行高溫的退火以提高薄膜的密度和吸潮性。K4H511638D-UCCC目前退火主要包括:水蒸氣退火+N2干法退火或N2干法退火。在高溫退火的過程中,由于薄膜中存在氧(薄膜中殘存的或吸潮形成的O-H鍵),溝槽間的有源區(qū)會被進(jìn)一步氧化而使得有源區(qū)面積損失;而水蒸氣退火更會使得活性s面積損耗得更加嚴(yán)重。可以通過降低蒸氣退火的溫度或/和減少退火時(shí)間來減輕這個(gè)問題 (見圖4,22)。通過在STI溝槽側(cè)壁上插人SiN襯墊也可以預(yù)防損失,同時(shí)退火條件對HARP填充能力也有一些影響。由于在干法退火后H剡文P薄膜大量收縮,所以有時(shí)在溝槽內(nèi)部可以發(fā)現(xiàn)裂縫。與此相反,蒸氣退火可使HARP收縮減少,從而獲得更好的填充效果。