對于交替相移掩膜版(Alternating Phase Shifting Mask,Alt PSM),MEF有更加簡單的表達(dá)式,其中,空間周期p(擬/(2NA),CD指的是硅片上的線寬,a指的是掩膜版上的線寬。S29JL064H90TFI00如果將式(721)作圖,我們可以得到圖7.23的結(jié)果。由此可見,MEF隨空間周期的變小而迅速變大,隨著光酸擴(kuò)散長度的變長而變大。

   如果已知式(721)中除光酸擴(kuò)散長度之外的所有參量,可以通過實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)擬合來求得光酸的擴(kuò)散長度。結(jié)果得出在砝0s的后烘下,某型193nm光刻膠的光酸擴(kuò)散長度為27nm;在60s的后烘下,擴(kuò)散長度變?yōu)?3nm。而且由于數(shù)據(jù)的精確性,光酸的擴(kuò)散長度的測量精度為±2nm。這比以往測量方式的精度提高了一個(gè)數(shù)量級,如圖7.24所示[15]。掩膜版誤差因子還可以用來計(jì)算線寬均勻性對掩膜版線寬的要求,以及光學(xué)鄰近效應(yīng)修正中二維圖形間距規(guī)則設(shè)定。對于線端縮短的二維圖形,如圖7.25所示[16],通過簡單的點(diǎn)擴(kuò)散 函數(shù)的計(jì)算以及對光酸擴(kuò)散進(jìn)行一定程度的近似,可以得到一個(gè)接近解析的線端光學(xué)鄰近效應(yīng)公式.