對(duì)于正性光刻膠,一般我們會(huì)得到顯影溶解速率隨照明光強(qiáng)的變化如圖7.8所示。 UC2844D8

   其中9R為顯影速率,ε為曝光能量。其中E∴i為完全顯影對(duì)應(yīng)的能量(dose to de【ar),也就是把一定厚度的光刻膠.對(duì)一個(gè)給定的烘焙和顯影程序完全溶解和清洗干凈所需要的曝光能量。通常這個(gè)能量比曝光能量要低一些。在光刻T藝仿真上,由于當(dāng)今的深紫外化學(xué)增幅的光刻膠的對(duì)比度都很高,我們可以近似將圖7,84中的曲線近似為階躍函數(shù),也就是光刻仿真中的閾值模型(threshold modcl)的由來,當(dāng)然,我們還需要對(duì)空間像做一階高斯擴(kuò)散,或者卷積,如式(748)、式(758)、式(770),然后再取閾值,有關(guān)如何將光刻膠的顯影過程融人光刻工藝仿真和光刻膠顯影過程的進(jìn)一步描述,請(qǐng)參考文獻(xiàn)[4司。