掩膜版的制作使用電子束和激光曝光的方式。由于現(xiàn)代光刻機一般使用4:l的縮小倍率,UC2845掩膜版的尺寸是硅片尺寸的4倍♀但是由于日益增加的光刻工藝的掩膜版誤差囚子以及對亞衍射散射條(Sut,Resolution Assist Feature,SRAF)的需求,掩膜版的制造也愈發(fā)

具有挑戰(zhàn)性。比如,對于32nm△藝,對掩膜版線寬的要求已經(jīng)達到了2nm(3倍標準偏差)以內(nèi)。對于線寬,由于使用了亞衍射散射條,其最小線寬已經(jīng)達到了70~80nm。

   無論是電子束曝光也好,激光曝光也好,由于曝光方式是掃描式的,無論掩膜版上的圖形如何復雜,或者線寬如何多佯化,電子束、激光束走的路徑和歷經(jīng)的格點(grid point)都是 一樣的。只是在不同的格點處使用的掃描曝光次數(shù)不一樣。而且,為了提高掃描式曝光方法的速度,通過使用較大光斑的電子束加不同的曝光次數(shù)來實現(xiàn)空間像邊緣位置的移動。比如,光斑的直徑是實際掩膜版格點的4倍(一次掃描可以提高16倍速度),為了表達在實際格點處的邊緣,只要將邊緣的光斑位置逐次減少曝光次數(shù),以起到匹配邊緣的目的,如圖7,85所示。