掩膜版是通過透光和不透光來將電路板設(shè)計圖案表達出來的。不過,由于衍射效應(yīng),本UC3800D來不透光的區(qū)域,在硅片的像中光強也不等于零。在1982年,萊文森(I'cvcnson)和他的合作者提出使用位相區(qū)域來減少本來是不透光的區(qū)域的光強「Ⅱ]。相移掩膜版的原理是通過將部分透射光的位相相對其他透射光的移動180°來抵消由于衍射造成的對比度下降效應(yīng)。當前T業(yè)界使用最多的是透射衰減的相移掩膜版(Attcnuated Phase Shifting Mask,AttPSM),它可以顯著改善密集線條的工藝窗口。當然,還有交替相移掩膜版(AlternatingPhase Shifting Mask,Alt PSM)(見圖7.91),叉叫做萊文森(I'evenson)相移掩膜版、邊緣相移掩膜版(rim phase shifting mask)(見圖7.92)、無鉻相移掩膜版(chr°me less phaseshifting mask)等類型,其原理都是類似的。

　透射衰減的相移掩膜版的相移層一般由硅化鉬(MoSi)制成。一般來講,對于6%左右的透射率有著6%±0.5%左右的控制精度要求。對相移精度有著180±5°的要求。隨著工藝技術(shù)節(jié)點的穩(wěn)步提高,對于掩膜版的精度會越來越高。下面我們來討論以下透射衰減相移掩膜版能夠為密集線條帶來多少好處: