這種技術(shù)也面臨以下問題:O480-VX3WH-LF

   (l)速度潛力依賴于光源的光強(qiáng)和光刻膠的靈敏度,業(yè)界公認(rèn)的標(biāo)準(zhǔn)是對(duì)于10耐/cm2感光度的光刻膠,實(shí)現(xiàn)100硅片/小時(shí)的產(chǎn)能需要在中閘焦點(diǎn)的光強(qiáng)為200W�？墒悄壳皥�(bào)至的最高能量為90W∶ˉ1∶。而時(shí)下最快的浸沒式光刻機(jī)的速度為175片/小日寸,也就是說,就算二重曝光,等效的生產(chǎn)速度也在87片/小時(shí),況且浸沒式機(jī)器的價(jià)錢比起極紫外便宜很多。

   (2)雖然波長(zhǎng)短不需要進(jìn)行克服衍射效應(yīng)的光學(xué)鄰近效應(yīng)修正,但是由于反射鏡為了提高反射率需要沉積折射率高低交替的高反射膜。通常為40~50對(duì)鉬(2.8nm)和硅(4.2nm)的薄膜,加L吸收層大約為150nm,整個(gè)結(jié)構(gòu)相對(duì)于線寬(22nm節(jié)點(diǎn)半周期在35~40nm,在掩膜版卜大約為110~160nm)相當(dāng)高大,需要對(duì)光的散射做細(xì)致計(jì)算16?1。而且雖然極紫外光刻沒有傳統(tǒng)意義上的光學(xué)鄰近效應(yīng),但是對(duì)于斜人射光,我們需要對(duì)其陰影效應(yīng)進(jìn)行補(bǔ)償。再者,由于波長(zhǎng)極短,掩膜版上的缺陷很容易散射極紫外光!61。有關(guān)掩膜版的缺陷現(xiàn)狀和檢測(cè)方法,日r以參照文獻(xiàn)[6矧。又由于波長(zhǎng)短,13,5nm的1/4波長(zhǎng)為3.38nm。任何多層膜(100層高反膜)~L的厚度變化會(huì)相造成空間像的位相移動(dòng),對(duì)空間像造成損害6i。

   (3)由于斜入射角(6°),使得在離焦時(shí)會(huì)伴隨著橫向(微觀套刻)移動(dòng),如厚度變化、缺陷造成的不平整。