光刻膠偏向線
發(fā)布時(shí)間:2017/11/1 19:33:30 訪問次數(shù):395
這張表的線寬數(shù)據(jù)僅供示意用,不過,它們代表的信息是準(zhǔn)確的。如果我們選擇第二行:線寬為100nm, O480-VX3WH-LF它隨著槽寬的增加而減小.至刂達(dá)一個(gè)最小值后叉逐漸恢復(fù)一點(diǎn),最后穩(wěn)定在較大槽寬的地方:90nmc冉看第二列:槽寬為100nm,它隨著線寬的增加而減小(表中列出的現(xiàn)款數(shù)據(jù).槽寬=L+S一線寬),到達(dá)一定的線寬(如300nm),槽便不能夠被分辨(Mcrge)。但是,隨著槽寬變寬,第工、四、五列,槽Merge的情況逐漸好轉(zhuǎn)。所以我們不禁要問?為什么線與槽不對等?這是閃為:
(1)光刻膠偏向線,也就是光刻膠是為孤立以及半孤立的線條優(yōu)化的。
(2)系統(tǒng)使用了透射衰減掩膜版,它對線條的對比度增加有很大幫助,不過,相移層的存在對相對孤立的槽的I藝窗口有很大損傷。
(3)掩膜版上使用了正向的線寬偏置,使得系統(tǒng)需要有一點(diǎn)過度曝光來充分發(fā)揮偏向線的光刻膠的性能,而槽的光刻膠通常喜歡曝光不足。那么,有沒有對線、槽都平等對待的光刻膠?回答是:理論上能夠,但是實(shí)際屮很難制造。比如,對線的光刻膠,對光線不能做得太靈敏,否則,孤立的線條就會(huì)被過度曝光而大大縮小線寬,甚至發(fā)生圖形倒塌。如果曝光不過度,會(huì)使得在光刻膠邊緣產(chǎn)生殘留;同理,對槽的光刻膠必須做得很靈敏,否則對于孤立的槽或者接觸孔,無法形成足夠的曝光,造成圖形打不開。
這張表的線寬數(shù)據(jù)僅供示意用,不過,它們代表的信息是準(zhǔn)確的。如果我們選擇第二行:線寬為100nm, O480-VX3WH-LF它隨著槽寬的增加而減小.至刂達(dá)一個(gè)最小值后叉逐漸恢復(fù)一點(diǎn),最后穩(wěn)定在較大槽寬的地方:90nmc冉看第二列:槽寬為100nm,它隨著線寬的增加而減小(表中列出的現(xiàn)款數(shù)據(jù).槽寬=L+S一線寬),到達(dá)一定的線寬(如300nm),槽便不能夠被分辨(Mcrge)。但是,隨著槽寬變寬,第工、四、五列,槽Merge的情況逐漸好轉(zhuǎn)。所以我們不禁要問?為什么線與槽不對等?這是閃為:
(1)光刻膠偏向線,也就是光刻膠是為孤立以及半孤立的線條優(yōu)化的。
(2)系統(tǒng)使用了透射衰減掩膜版,它對線條的對比度增加有很大幫助,不過,相移層的存在對相對孤立的槽的I藝窗口有很大損傷。
(3)掩膜版上使用了正向的線寬偏置,使得系統(tǒng)需要有一點(diǎn)過度曝光來充分發(fā)揮偏向線的光刻膠的性能,而槽的光刻膠通常喜歡曝光不足。那么,有沒有對線、槽都平等對待的光刻膠?回答是:理論上能夠,但是實(shí)際屮很難制造。比如,對線的光刻膠,對光線不能做得太靈敏,否則,孤立的線條就會(huì)被過度曝光而大大縮小線寬,甚至發(fā)生圖形倒塌。如果曝光不過度,會(huì)使得在光刻膠邊緣產(chǎn)生殘留;同理,對槽的光刻膠必須做得很靈敏,否則對于孤立的槽或者接觸孔,無法形成足夠的曝光,造成圖形打不開。
熱門點(diǎn)擊
- SiCoNi是一種高選擇性的預(yù)清潔方式
- 常用的方法是大家熟知的RCA清洗
- 淺槽隔離(sTI)刻蝕
- sACVD的應(yīng)力
- 對準(zhǔn)、套刻精度
- 光刻膠垂直方向的形貌也發(fā)生變化
- Opera3D軟件有限元建模
- 顯影
- 色標(biāo)法也稱為色環(huán)標(biāo)注法
- 電容器按結(jié)構(gòu)不同分為三類
推薦技術(shù)資料
- CV/CC InnoSwitch3-AQ 開
- URF1DxxM-60WR3系
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