刻蝕是當(dāng)今世上最大的制造業(yè)―――超大規(guī)模集成電路(UL⒏)制造中影響重大且至關(guān)重要的技術(shù)之一。 O4FMNBMTTNATFT在集成電路(IC)制造中,刻蝕是一種在暴露的硅襯底或晶圓表面未保護(hù)的薄膜上去除材料的△藝。回溯到20世紀(jì)60年代后期,濕法刻蝕,即把要被刻蝕的目標(biāo)材料浸泡在腐蝕液中的方法,曾經(jīng)是低成本集成電路制造的關(guān)鍵技術(shù)。然而,它特有的各向同性刻蝕的性質(zhì),嚴(yán)重地阻礙了其在高密度IC制造中的應(yīng)用。具有各向異性刻蝕特性的干法刻蝕,成為能夠滿足器件尺寸持續(xù)縮小的不可替代的制造技術(shù)。從⒛世紀(jì)70年代早期開(kāi)始,以CF4/02為刻蝕劑的干法刻蝕已經(jīng)廣泛地應(yīng)用于刻蝕出高分辨的圖形,并且仍然流行于當(dāng)今32nmェ藝節(jié)點(diǎn)的氧化物刻蝕中。

   干法刻蝕通常要用到等離子,等離子被稱(chēng)作物質(zhì)的第四態(tài),它可以被看作部分或全部放電的氣體,在這氣體中,包含有電子、離子、中性的原子和/或分子。從總體上看,等離子保持著電中性。這樣的氣體電離率較低,即只有一小部分分子被電離了。然而,如此低的電離率卻可以產(chǎn)生足夠大的局部電荷,這些電荷具有足夠長(zhǎng)的壽命。這就為等離子刻蝕消耗材料提供了可能。等離子刻蝕的廣泛應(yīng)用取決于等離子的狀態(tài)、幾何形狀、激勵(lì)方法等多種條件。