所需要的千法刻蝕機模擬器應(yīng)該強調(diào)基礎(chǔ)等離子現(xiàn)象,并可以擴展應(yīng)用到各種反應(yīng)器形狀、 OARS-1-.003-5-001A復(fù)雜的反應(yīng)類型和不同的激勵方式,比如RIE、CCP和1CP。從基本的物理學(xué)研究的角度來看,在一個簡單的反應(yīng)器形狀中,單一的激勵方式,外加有限的氣體應(yīng)是首選。從技術(shù)開發(fā)的角度來看,刻蝕機模擬器需要具有更多的通用功能。

   二維(2D)刻蝕機模擬和驗證出現(xiàn)于⒛世紀90年代初期,伊利諾斯大學(xué)的Kushner∶(1994年)提出了二維混合等離子設(shè)備模型(HPEM)。在定義了反應(yīng)器形狀和初始運行條件后,HPEM利用Maxwcll方程求解電磁模塊(EMM)。基于從EMM得到的電磁場,利用電子能量傳輸模塊(EETM)中的Monte Carlo程序計算出電子密度、電子溫度、電子能量分布函數(shù)以及電子碰撞反應(yīng)率,然后利用流體動力學(xué)模擬(FKS)中的連續(xù)性方程計算重粒子密度和流童,Poisson方程計算電磁場,后者作為下一個循環(huán)EMM的輸人值。這種循環(huán)一直重復(fù)進行,直到收斂。等離子化學(xué)Monte Carlo模擬作為一個可選模塊來計算到達襯底的等離子粒子流量和能量分布。在早期階段,HI)EM僅僅關(guān)注等離子在各種反應(yīng)器,比如MLRIE、CCP、IClP中的分布,在1996年擴展為二維(3D)版本。S Tinck(20O8年)2D―HPEM模擬Ar(1o%)/C12(90%)干法刻蝕硅,他發(fā)現(xiàn)在所研究的運行條件下,刻蝕速率受離子撞擊襯底的能量和流量的影響很大,而受自由基流量數(shù)值的影響程度小,即使白由基流量大于總的離子流量100倍。