在顯影后檢查(ADI)CD,進行劑量補償是刻蝕后檢查(AEI)CDU改善的成熟方法。圖8.16(a)顯示的是一款65nm產品為了改善多晶硅柵的CDU,進行ADI補償的過程。M74HC563RM13TR在已知片內的AEI CD分布的情況下,對ADI CD分布進行補償,可以在晶圓邊緣處增大CD。這樣可以改善AH CD分布。然而,盡管這種方法應用起來并不復雜,但ADI補償不能解決多晶硅柵極底部形狀的負載,并很容易引入更多的疏/密負載。在刻蝕方面,Barc(底部抗反射涂層)打開這步△藝,是同時改進那些關鍵參數中的主要手段之一。r)OE(實驗設計)在此步中是必不可少的,用來在偏置電壓、腔室壓力和晶圓溫度中選擇最佳條件,得到更好的CDU、TPEB和I'WR。晶圓溫度對CDU的影響非常明顯。在Barc打開步驟中,不同的溫度可以改變片內Barc打開行為,從而改變片內多晶硅柵的CDU,如圖8.16(b)(65nm柵刻蝕)所示。對于TPEB,高壓和低偏置是好的組合。然而,這個條件使I'WR惡化。因此,在Barc打開這一步,I'WR的改善不得不關注不同的氣體組合。圖8.17(a)顯示的是對于LWR的改善,采用HBr一基做Barc打開好于C12一基。主要的機理可歸因于HBlˉ基的條件可以提供更強的光刻膠的側墻保護。如圖8,17(b)所示,所需要的TPEB(<3nm)的表現可以基于實驗設計的方法得到。