在顯影后檢查(ADI)CD,進(jìn)行劑量補(bǔ)償是刻蝕后檢查(AEI)CDU改善的成熟方法。圖8.16(a)顯示的是一款65nm產(chǎn)品為了改善多晶硅柵的CDU,進(jìn)行ADI補(bǔ)償?shù)倪^(guò)程。M74HC563RM13TR在已知片內(nèi)的AEI CD分布的情況下,對(duì)ADI CD分布進(jìn)行補(bǔ)償,可以在晶圓邊緣處增大CD。這樣可以改善AH CD分布。然而,盡管這種方法應(yīng)用起來(lái)并不復(fù)雜,但ADI補(bǔ)償不能解決多晶硅柵極底部形狀的負(fù)載,并很容易引入更多的疏/密負(fù)載。在刻蝕方面,Barc(底部抗反射涂層)打開這步△藝,是同時(shí)改進(jìn)那些關(guān)鍵參數(shù)中的主要手段之一。r)OE(實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì))在此步中是必不可少的,用來(lái)在偏置電壓、腔室壓力和晶圓溫度中選擇最佳條件,得到更好的CDU、TPEB和I'WR。晶圓溫度對(duì)CDU的影響非常明顯。在Barc打開步驟中,不同的溫度可以改變片內(nèi)Barc打開行為,從而改變片內(nèi)多晶硅柵的CDU,如圖8.16(b)(65nm柵刻蝕)所示。對(duì)于TPEB,高壓和低偏置是好的組合。然而,這個(gè)條件使I'WR惡化。因此,在Barc打開這一步,I'WR的改善不得不關(guān)注不同的氣體組合。圖8.17(a)顯示的是對(duì)于LWR的改善,采用HBr一基做Barc打開好于C12一基。主要的機(jī)理可歸因于HBlˉ基的條件可以提供更強(qiáng)的光刻膠的側(cè)墻保護(hù)。如圖8,17(b)所示,所需要的TPEB(<3nm)的表現(xiàn)可以基于實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)的方法得到。