有機(jī)物、金屬、顆粒的去除(SC1):這一步是在(1)或(1)+(2)的基礎(chǔ)上使用,或單獨(dú)使用,以去除少量吸附的有機(jī)物,絡(luò)合一、二、八副族金屬(如Cu,Ag,Au,Cd,Co,Ni等),SCl可氧化晶片表面的硅,生成一層化學(xué)氧化膜,同時(shí)叉可溶解氧化硅膜,S912XDT256F1CAG一些顆粒的去除就是基于這種機(jī)理。值得注意的是SC1,使用一段時(shí)間后,H202一部分消耗,一部分分解,溶液中H202濃度會(huì)顯著降低,而高濃度的氨,可快速溶解硅,造成晶片表面粗糙不平整,所以使用中需要定時(shí)補(bǔ)加H202和NH】OH。

   較早公開使用的SC1濃度一般較高,NH4OH:H202:H2O比例為1:1:5,溫度 70℃左右。經(jīng)過逐步開發(fā)和完善,濃度和溫度都朝更低的方向發(fā)展,在不改變?nèi)コ芰Φ那?/span>提下,質(zhì)量得到F保證,耗費(fèi)也大大降低�，F(xiàn)今普遍使用的濃度為NHlΘH:H203:HJO比例為1:2:50或1:2:100,溫度35℃至室溫。